Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АлтГУ | Барнаул

Составители: 

Рубрика: 

7
Таблица 1
Физические свойства некоторых полупроводников при 300 К [2, 4-6]
µ,
см
2
/(В⋅с) m
d
*/m
o
Полупро-
водник
А или
М
ρ,
г/см
3
а, Å
Т
пл,
о
С
∆E
g
,
эВ
ρ
i
,
Ом
⋅
см
µ
n
µ
р
m
n
m
р
ε
s
/ε
o
Элементные полупроводники
β-В 10.81 2.34 2175 1.5 10
6
155
С (алмаз) 12.01 3.51 3.567 3700 5.47 ~10
8
1800 1200 0.2 0.25 5.7
Si 28.09 2.33 5.431 1415 1.12 2⋅10
5
1400 480 1.08 0.56 11.9
Ge 72.61 5.33 5.646 937 0.66 47 3900 1900 0.56 0.42 16
Se 78.96 4.80 220 1.8 10
6
-10
12
<1 6.3
α-Sn 118.7 5.75 6.489 232 0.06 2
⋅
10
–
4
2500 1200
α-Te 127.6 6.25 452 0.35 0.5 1700 1200 23
Соединение А
IV
В
IV
α-SiC 40.10 3.22 4.358 >2700 3.0 400 50 0.60 1.00 10
Соединения А
III
В
V
AlAs 101.9 3.60 5.63 1700 2.2 1000
∼
100, 0.5 ∼0.8
AlSb 148.7 4.15 6.136 1065 1.58 200 200 420 0.1 0.4 14.4
GaN 83.73 6.10 ~1500 3.3 380 0.2 0.6 12.2
GaP 100.7 4.10 5.45 1467 2.26 110 75 0.34 0.6 11.6
GaAs 144.6 5.32 5.653 1238 1.42 10
8
8500 400 0.067 0.5 13.1
GaSb 191.5 5.65 6.096 710 0.72 5000 850 0,042 0.4 15.7
InP 145.9 4.74 5.869 1058 1.35 4600 150 0.077 0.6 12.4
InAs 189.7 5.68 6.058 942 0.36 33000 460 0.025 0.4 14.6
InSb 236.6 5.78 6.479 530 0.17 80000 1250 0.012 0.4 17.7
Соединения А
II
В
VI
ZnO 81.39 5.42 1975 3.35 ~1000 180 0.3 0.3 9
ZnS 97.46 4.08 5.42 1830 3.7 10
8
-10
1
4
165 5 0.40 ∼0.7 5.2
ZnSe 144.4 5.26 5.668 1515 2.7 700 28 0.17 8.1
ZnTe 193.0 5.70 6.101 1295 2.2 10
4
-10
6
1450 300 0.15 10.1
CdS 144.8 4.82 5.832 1750 2.42 ~10
9
340 50 0.21 ∼0.8 5.4
CdSe 191.4 5.81 6.05 1258 1.8 800 50 0.13 10
CdTe 240.0 6.20 6.48 1098 1.56 1050 100 0.1 0.35 10.2
HgS 232.7 7.73 5.85 1450 1.8 250 30.7
HgSe 279.6 8.26 6.08 800 0.2 18500 25.6
HgTe 328.2 8.42 6.46 670 0.01 25000 100 0.03 ∼0.3 48
Соединения А
III
В
VI
GaS 101.8 3.48 1025 2.5 10
10
10
GaSe 148.7 5.03 960 2.0 10
3
20
GaTe 197.3 5.50 835 1.65 100 40
InS 146.9 5.18 692 1.8
InSe 193.8 5.60 660 1.2 10
6
900
InTe 242.4 6.29 696 0.95 0.01
TlS 236.5 7.61 250 ~1.2
TlSe 283.4 8.31 300 0.67 100 400
Соединения А
IV
В
VI
GeS 104.7 4.01 665 1.8
GeSe 151.6 5.52 670 1.1 70
GeTe 200.2 6.19 725 0.5-1 100
SnS 150.8 5.08 881 1.1
SnSe 197.7 6.12 860 0.9 800
SnTe 246.3 6.45 806 0.2 500 400 64
PbS 239.3 7.61 5.935 1119 0.6 600 200 0.25 0.25 17
PbSe 286.2 8.15 6.124 1076 0.5 1800 930
∼
0.05 ∼0.04 21
PbTe 334.8 8.16 6.460 917 0.3 6000 4000 0.17 0.20 30
                                                                       Таблица 1
 Физические свойства некоторых полупроводников при 300 К [2, 4-6]
Полупро- А или ρ,           Тпл, ∆Eg,  ρi,      µ, см2/(В⋅с)    md*/mo
                     а , Å                                                εs/εo
 водник    М г/см3           о
                               С  эВ Ом⋅см µn            µр   mn     mр
                      Элементные полупроводники
   β-В    10.81 2.34       2175 1.5   106          1     55
                                           8
С (алмаз) 12.01 3.51 3.567 3700 5.47 ~10        1800 1200 0.2 0.25 5.7
    Si    28.09 2.33 5.431 1415 1.12 2⋅105 1400 480 1.08 0.56 11.9
   Ge     72.61 5.33 5.646 937 0.66    47       3900 1900 0.56 0.42 16
                                      6     12
    Se    78.96 4.80        220 1.8 10 -10              <1                 6.3
  α-Sn    118.7 5.75 6.489 232 0.06 2⋅10–4 2500 1200
  α-Te    127.6 6.25        452 0.35  0.5       1700 1200                  23
                                         IV IV
                           Соединение А В
 α-SiC 40.10 3.22 4.358 >2700 3.0                400    50   0.60 1.00 10
                                           III V
                            Соединения А В
  AlAs 101.9 3.60 5.63 1700 2.2                 1000 ∼100, 0.5 ∼0.8
  AlSb 148.7 4.15 6.136 1065 1.58 200            200 420      0.1    0.4 14.4
  GaN 83.73 6.10           ~1500 3.3             380          0.2    0.6 12.2
  GaP     100.7 4.10 5.45 1467 2.26              110     75  0.34 0.6 11.6
 GaAs 144.6 5.32 5.653 1238 1.42      108 8500 400 0.067 0.5 13.1
 GaSb 191.5 5.65 6.096 710 0.72                 5000 850 0,042 0.4 15.7
   InP    145.9 4.74 5.869 1058 1.35            4600 150 0.077 0.6 12.4
  InAs 189.7 5.68 6.058 942 0.36               33000 460 0.025 0.4 14.6
  InSb 236.6 5.78 6.479 530 0.17               80000 1250 0.012 0.4 17.7
                                           II VI
                           Соединения А В
  ZnO 81.39 5.42           1975 3.35           ~1000 180      0.3    0.3    9
                                      8     14
   ZnS    97.46 4.08 5.42 1830 3.7 10 -10 165             5  0.40 ∼0.7 5.2
  ZnSe 144.4 5.26 5.668 1515 2.7                 700     28  0.17          8.1
                                       4     6
  ZnTe 193.0 5.70 6.101 1295 2.2 10 -10 1450 300 0.15                     10.1
  CdS     144.8 4.82 5.832 1750 2.42 ~109 340            50  0.21 ∼0.8 5.4
  CdSe 191.4 5.81 6.05 1258 1.8                  800     50  0.13          10
 CdTe 240.0 6.20 6.48 1098 1.56                 1050 100      0.1 0.35 10.2
  HgS     232.7 7.73 5.85 1450 1.8               250                      30.7
  HgSe 279.6 8.26 6.08 800 0.2                 18500                      25.6
 HgTe 328.2 8.42 6.46 670 0.01                 25000 100 0.03 ∼0.3 48
                           Соединения А I I I В V I
  GaS     101.8 3.48       1025 2.5   1010        10
  GaSe 148.7 5.03           960 2.0   103         20
 GaTe 197.3 5.50            835 1.65 100          40
   InS    146.9 5.18        692 1.8
  InSe 193.8 5.60           660 1.2   106        900
  InTe 242.4 6.29           696 0.95 0.01
   TlS    236.5 7.61        250 ~1.2
  TlSe 283.4 8.31           300 0.67 100         400
                                          IV VI
                           Соединения А В
   GeS    104.7 4.01        665 1.8
  GeSe 151.6 5.52           670 1.1                      70
  GeTe 200.2 6.19           725 0.5-1                   100
   SnS    150.8 5.08        881 1.1
  SnSe 197.7 6.12           860 0.9              800
  SnTe 246.3 6.45           806 0.2              500 400                   64
   PbS    239.3 7.61 5.935 1119 0.6              600 200 0.25 0.25 17
  PbSe 286.2 8.15 6.124 1076 0.5                1800 930 ∼0.05 ∼0.04 21
  PbTe 334.8 8.16 6.460 917 0.3                 6000 4000 0.17 0.20 30
                                      7

Страницы