Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 5 стр.

     2. Анодное поведение полупроводников. Приведены экспериментальные данные анод-
ного растворения германия, кремния, арсенида галлия и других полупроводников, обсуж-
даются механизм их растворения и природа предельного анодного тока. Изложены теория и
практика процессов анодирования металлов и полупроводников.
     3. Катодные реакции на полупроводниках. В разделе, помимо анализа общих уравне-
ний катодных процессов на полупроводниках, повышенное внимание уделено электроосаж-
дению металлов и свойствам контактов металл – полупроводник.
     4. Электродный потенциал полупроводника. Детально изложена теория электродных
потенциалов, приведены термодинамические и экспериментальные данные по электродным по-
тенциалам германия, арсенида галлия, других полупроводников и их зависимость от различных
факторов. Обсуждается электрохимическая природа фотопотенциала полупроводников.
     В соответствии с международными рекомендациями за положительный ток принят
анодный ток: движение положительно заряженных частиц из электрода в электролит. Элек-
троны – отрицательные частицы, они движутся обратно: из электролита в электрод.
     За положительное перенапряжение принимается анодное, отрицательное – катодное.
     В уравнениях химических реакций формулы для твердого состояния (твёрдой фазы)
набраны жирным шрифтом, для газообразного состояния – курсивом.
     В списке литературы, приведенном ниже, указаны первые оригинальные и обзорные
работы по электрохимии полупроводников.

                                  Ли т ер а т ур а

 1. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И.Г. Исследование кинетики анодного растворения германия
    // ЖФХ. 1958. №2. – С. 413.
 2. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И.Г. Влияние электрофизических свойств германия на про-
    цесс его анодного растворения // ЖФХ. 1958. Т. 32. №5. – С. 1103.
 3. Плесков Ю.В., Кабанов Б.Н. Окисление ванадия (II) на германиевом аноде // Докл. АН
    СССР. 1958. Т. 123. №5. – С. 884.
 4. Плесков Ю.В. Инжекция и экстракция неосновных носителей тока на поверхности герма-
    ния п-типа в результате электрохимических процессов // Докл. АН СССР. 1959. Т. 126.
    №1. – С. 111.
 5. Brattain W.H., Garrett C.G.B. Investigation of Interface of Germanium – Electrolyte // Bell.
    System Techn. J. 1955. V. 34. – P. 129.
 6. Turner D.R. The Anodic Behavior of Ge in Aqueous Solutions // J. Electrochem. Soc. 1956. V.
    103. №4. – P. 252.
 7. Beck F., Gerischer H. Über den Mechanismus der anodischen Auflösung von Germanium // Z.
    Еlektrochem. 1959. Bd. 63. – S. 500.
 8. Gerischer H. Semiconductor Electrode Reaction // Advanсes in Electrochemistry and
    Electrochemical Engineering. London - NewYork : J. Wiley. 1961. V. 1. – P. 139.
 9. Flynn J.B. Saturation Currents in Germanium and Silicon Electrode // J. Electrochem. Soc.
    1958. V. 105. – P. 715.
10. The Elecrtochemistry of Semicoductors./Ed. by P.J.Holmes. London - New York : Acad. Press.
     1962. – 378 p.
11. Ефимов Е.А., Ерусалимчик И.Г. Электрохимия германия и кремния. – М. :Госхимиздат,
     1963. – 182 с.
12. Мямлин В.А., Плесков Ю.В. Электрохимия полупроводников. – М.: Наука, 1965. – 338 с.
13. Гуревич Ю.Я., Плесков Ю.В. Фотоэлектрохимия полупроводников. – М.:Наука, 1983. –
   312 с.




                                               5