ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
В В Е Д Е Н И Е
Предмет электрохимии полупроводников – физико-химические процессы, происходящие
на контакте полупроводника с электролитом без электрического тока или при его протекании.
Значение электрохимии полупроводников определяется, с одной стороны, широким
использованием электрохимических методов в технологии обработки полупроводниковых
материалов и изготовлении полупроводниковых устройств. Процессы электрохимического
травления и анодирования, электроосаждения металлов на полупроводники с целью созда-
ния омических и выпрямляющих контактов снова приобретают важное практическое значе-
ние при изготовлении активных структур на полупроводниковых соединениях, разлагаю-
щихся при высокотемпературной диффузии легирующих примесей. С другой стороны, со-
вместный анализ физических явлений (электропроводность, внутренняя структура полупро-
водника, структура поверхности, фазовой границы раздела) и химических процессов на гра-
нице раздела полупроводник – электролит позволяет глубже понять природу полупроводни-
ковых материалов и влияние их строения, состояния поверхности на характер взаимодейст-
вия с окружающей средой и на прохождение электрического тока через контакт полупровод-
ник – среда. В связи с микроминиатюризацией полупроводниковых устройств, созданием
структур металл – диэлектрик – полупроводник, использованием фотолитографии, процессов
травления и других расширяется влияние процессов, имеющих электрохимическую природу,
на электрофизические свойства контактов полупроводник – металл, на надежность и ста-
бильность полупроводниковых устройств.
Особенности электрохимии полупроводников. В нашей стране начало электрохимии
полупроводников положили экспериментальные исследования Е.А. Ефимова, И.Г. Ерусалимчи-
ка [1, 2] и Ю.В. Плескова [3, 4], выполненные в 1958 году. Работа В. Браттейна и К. Гаррета
[5], публикации Д. Тарнера [6], Х. Геришера [7, 8] и других авторов [9–13] заложили теоре-
тические основы электрохимии полупроводников. Для изложения этих основ используют
следующие положения физики полупроводников: наличие запрещенной энергетической зоны
в полупроводниках между зоной проводимости и валентной зоной; два вида носителей тока:
свободные (е
−
) и валентные электроны (е
+
– пазоны, их неудачное название – дырки*), меха-
низм переноса тока которыми различен; низкая, легко изменяемая концентрация носителей
тока и определяющая роль пазонов в анодных реакциях полупроводников n-типа и электро-
нов в катодных реакциях полупроводников р-типа; существенное влияние процессов гене-
рации и рекомбинации носителей тока на электрофизические и электрохимические процессы
с участием полупроводников и т. д. Действительно низкая (в миллионы раз) по сравнению с
металлами концентрация активных частиц, обеспечивающих проводимость в полупроводни-
ках, определяет ряд особенностей их электрохимического поведения. Так, в отличие от ме-
таллов незначительные количества легирующих примесей (10
–8
–10
–4
%) существенно изме-
няют электрофизические и электрохимические свойства полупроводника. Сильное влияние
на эти свойства также оказывают тепловое, световое и другие виды излучений.
Курс электрохимии полупроводников, помимо вводного раздела «Элементы физики
полупроводников», включает следующие разделы.
1. Основы теоретической электрохимии. В этом теоретическом разделе кратко рас-
смотрены система полупроводник – электролит в равновесии, кинетика электродных процес-
сов, включая выводы и анализ кинетических уравнений электродных реакций для контроли-
рующих стадий с участием электронов и пазонов (дырок), диффузионная кинетика.
---------------------------------------------------------------------------------
*Термин "дырка" – неудачный дословный перевод английского термина "hole", обозначающего дефект
в ковалентной связи, который в ней возникает после ухода одного из двух спаренных электронов. Этот дефект
правильнее обозначить термином "пазон" (от слова "паз" – щель), так как он точнее объясняет физическую суть
явления. Термин "пазон" (или позон) созвучен с терминами, обозначающими положительно заряженные части-
цы: позитрон, протон. В латинской транскрипции "pason" первая буква термина "р" соответствует распростра-
ненному обозначению дырки и дырочной проводимости. Далее в пособии вместо термина дырка будет ис-
пользоваться термин пазон с обозначением р (р – pason).
В В Е Д ЕН И Е Предмет электрохимии полупроводников физико-химические процессы, происходящие на контакте полупроводника с электролитом без электрического тока или при его протекании. Значение электрохимии полупроводников определяется, с одной стороны, широким использованием электрохимических методов в технологии обработки полупроводниковых материалов и изготовлении полупроводниковых устройств. Процессы электрохимического травления и анодирования, электроосаждения металлов на полупроводники с целью созда- ния омических и выпрямляющих контактов снова приобретают важное практическое значе- ние при изготовлении активных структур на полупроводниковых соединениях, разлагаю- щихся при высокотемпературной диффузии легирующих примесей. С другой стороны, со- вместный анализ физических явлений (электропроводность, внутренняя структура полупро- водника, структура поверхности, фазовой границы раздела) и химических процессов на гра- нице раздела полупроводник электролит позволяет глубже понять природу полупроводни- ковых материалов и влияние их строения, состояния поверхности на характер взаимодейст- вия с окружающей средой и на прохождение электрического тока через контакт полупровод- ник среда. В связи с микроминиатюризацией полупроводниковых устройств, созданием структур металл диэлектрик полупроводник, использованием фотолитографии, процессов травления и других расширяется влияние процессов, имеющих электрохимическую природу, на электрофизические свойства контактов полупроводник металл, на надежность и ста- бильность полупроводниковых устройств. Особенности электрохимии полупроводников. В нашей стране начало электрохимии полупроводников положили экспериментальные исследования Е.А. Ефимова, И.Г. Ерусалимчи- ка [1, 2] и Ю.В. Плескова [3, 4], выполненные в 1958 году. Работа В. Браттейна и К. Гаррета [5], публикации Д. Тарнера [6], Х. Геришера [7, 8] и других авторов [913] заложили теоре- тические основы электрохимии полупроводников. Для изложения этих основ используют следующие положения физики полупроводников: наличие запрещенной энергетической зоны в полупроводниках между зоной проводимости и валентной зоной; два вида носителей тока: свободные (е−) и валентные электроны (е+ пазоны, их неудачное название дырки*), меха- низм переноса тока которыми различен; низкая, легко изменяемая концентрация носителей тока и определяющая роль пазонов в анодных реакциях полупроводников n-типа и электро- нов в катодных реакциях полупроводников р-типа; существенное влияние процессов гене- рации и рекомбинации носителей тока на электрофизические и электрохимические процессы с участием полупроводников и т. д. Действительно низкая (в миллионы раз) по сравнению с металлами концентрация активных частиц, обеспечивающих проводимость в полупроводни- ках, определяет ряд особенностей их электрохимического поведения. Так, в отличие от ме- таллов незначительные количества легирующих примесей (108104 %) существенно изме- няют электрофизические и электрохимические свойства полупроводника. Сильное влияние на эти свойства также оказывают тепловое, световое и другие виды излучений. Курс электрохимии полупроводников, помимо вводного раздела «Элементы физики полупроводников», включает следующие разделы. 1. Основы теоретической электрохимии. В этом теоретическом разделе кратко рас- смотрены система полупроводник электролит в равновесии, кинетика электродных процес- сов, включая выводы и анализ кинетических уравнений электродных реакций для контроли- рующих стадий с участием электронов и пазонов (дырок), диффузионная кинетика. --------------------------------------------------------------------------------- *Термин "дырка" неудачный дословный перевод английского термина "hole", обозначающего дефект в ковалентной связи, который в ней возникает после ухода одного из двух спаренных электронов. Этот дефект правильнее обозначить термином "пазон" (от слова "паз" щель), так как он точнее объясняет физическую суть явления. Термин "пазон" (или позон) созвучен с терминами, обозначающими положительно заряженные части- цы: позитрон, протон. В латинской транскрипции "pason" первая буква термина "р" соответствует распростра- ненному обозначению дырки и дырочной проводимости. Далее в пособии вместо термина дырка будет ис- пользоваться термин пазон с обозначением р (р pason). 4
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »