Электрохимия полупроводников. Батенков В.А. - 87 стр.

(332) при малых плотностях тока, напряжённость поля меньше, чем на плоскости (110). При
больших плотностях тока она была одинакова.
      На рисунке 2.11 приведена потенциодинамическая кривая i, Е, полученная на модер-
низированном потенциостате П-5827М при поляризации антимонида индия в этиленглико-
левом растворе щёлочи с хлорсеребряным электродом сравнения [71].
i, мА –
       2
  см
  1,0 –
                                                                 Рис. 2.11. Зависимость i, E
  0,8 –                5                                         при анодной потенциоди-
                                                                 намической поляризации
  0,6 –        3                    6
                   4                                             InSb в 0.7 моль/л растворе
  0,4 – 2                                                        КОН в этиленгликоле.
                                                   7     8                  22 оС.
  0,2 –
                                                                      InSb марки ИСД,
       1
   0                                                                  ориентация (211)
     –1       0        1      2     10      20         30 Е, В

      На кривой, начиная с потенциала –0,98 В (ХСЭ), выделяются 8 участков.
      На участке 1, который слабо, но проявляется в этиленгликоле и отсутствует в водном
растворе начальная стадия анодного окисления, очевидно, связана с окислением InSb до In (I)
+ Sb (0). Участок 2 соответствует следующей стадии анодного окисления InSb до In (II) + Sb (0).
Он переходит в участок 3, где формируется пленка InO + Sb, пассивирующая поверхность
InSb (участок 4). Участок 5 отвечает оптимальному процессу анодирования InSb с окислением
его до In (III) + Sb (0, III) c образованием на аноде плёнки стабильных соединений In2O3 +
Sb2O3 (Sb) (участок 6) и второй пассивацией InSb на участке 7. Здесь состав твёрдой фазы со-
единений сурьмы зависит от состава электролита, условий анодирования и достаточно сложен:
Sb (0), SbO, Sb2O3 (разные модификации). При высоком напряжении на участке 8 происходит
новый рост тока с увеличением напряжения. Он может быть связан с анодным окислением
сурьмы до Sb (V), оксид которого растворим в щелочной среде, с электрическим пробоем
плёнки при высокой напряжённости поля в ней и ростом её электронной проводимости.
      Указанные объяснения согласуются со следующими экспериментальными данными.
При добавлении в электролит окислителя (NH4NO3) в количестве 0.1 1 моль/л исчезают
участки 1, 2, 3, 4 (порядок реакции по окислителю равен 1), т. е. анодное окисление сразу
идёт до In (III) + Sb (III). Аналогичный результат ранее был получен в работе [72]. В присут-
ствии 0.5 1 моль/л окислителя добавление в электролит 0.03 1 моль/л кислоты (серной,
щавелевой, винной, лимонной) ведет к уменьшению максимального тока участка 5 (рис.
2.11) с n = ∆lg i/∆C = –(0.1 0.3). Это, очевидно, связано с уменьшением скорости растворе-
ния кислотного оксида Sb2O3. Рост электронной проводимости пленки на участке 8 под-
тверждает выделение кислорода при Е больше 35 В.

       2.7. ПРАКТИКА АНОДНОГО РАСТВОРЕНИЯ И АНОДИРОВАНИЯ
                         ПОЛУПРОВОДНИКОВ
       2.7.1. Анодное полирование и локальное растворение полупроводников
     Виды растворения. Полирующее растворение – равномерное растворение, сглажи-
вающее неровности поверхности твёрдого тела. Характеризуется высотой микро- (наномет-
ры) и макронеровностей; последние для зеркальной поверхности составляют 20 60 нм/см.
                                              87