Физические основы электроники. Базир Г.И. - 25 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Характеризует пространственное распределение интенсивности излуче-

ния. Излучен ие полупроводниковых лазеров обладает малым углом расходимо-

сти светового пучка.

4. КПД лазера.

КПД инжек ционного лазера на основе GaAs пр иблизительно равен 70%

при величине квантового выхода 100%.

5. Яркостная характеристика лазера.

Зависимость интенсивности излучения от проходящего через лазер

тока (см. рис.5).

Рисунок 5. Зависимость интенсивности излучения от проходящего через

лазер на основе GaAS тока при различных Т

Электролюминесцентные порошковые излучатели (ЭПИ)

Электролюминесцентные порошковые излучатели (ЭПИ) – это одна из

разновидностей излучающих полупроводниковых приборов, в которых исполь-

зуется электролюминесценция люм инофор а.

(отн. ед.)

10 1

J(A)

4,2К

77К