Физические основы электроники. Базир Г.И. - 23 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

P+

1 g

3 g

а) без приложения напряжения

Инверсную населенность проще можно создать в полупроводниковом

инжекционном лазере с гетеропереходами.

б) при прямом напряжении

Базовую область такой структуры делают из полупроводника с меньшей

ширино й запрещенной зоны и большей диэлектрической проницаемостью, чем

у эмиттерных областей. Инжектированные в базу носители заряда оказываются

в потенциальных ямах. Различие показателей преломления базовых и эмиттер-

ных областей приводит к полному внутреннему отражению квантов света на

гетеропереходах, то есть область базы

по существу является световодом.

P+