Физические основы электроники. Базир Г.И. - 21 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

прпрпр

Рисунок 4. Структура полупроводникового инжекцио нного лазера:

1 – активная облас ть с инверсной населённостью;

2 – отражающие поверхнос ти кристалла.

Схема образования фотонной лавины в оптическом резонаторе

Пос ле многократного отражения от полированных торцов и соответст-

вующего многократного прохождения вдоль p-n-перехода свет выходит из по-

лупроводника. Кванты света, двигающиеся строго перпендикулярно тор цам

кристалла,

могут много раз пройти через ак тивную облас ть с инверсной насе-

леннос тью и тем самым создать большую лавину квантов света. Две другие

грани должны быть скошены под углом, чтобы воспрепятс твовать возник нове-

нию генерации света между ними.