Физические основы электроники. Базир Г.И. - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

19
4. Вол ь т-амперная характеристика светодиода.
ВАХ светодиода аналогична ВАХ обычной диодной структуры.
5. Инерционность светодиода
Характеризуется временем разгорания и затухания электролюминесцен-
ции пр и импульсном возбуждении светодиода, которые принято измерять меж-
ду яркостями 0,1 и 0,9 от максимальной.
Инерционность может определяться временем перезаряда барьерной ем-
кости
бар
C и процессами накопления и рассасывания неосновных носителей за-
ряда.
τ
мало для большинства светодиодов и составляет величину
τ
21
1010
−−
÷≈
мкс.
6. КПД или эффек тивность светодиода.
Зависит от внутреннего квантового выхода и конструкции светодиода.
Полупроводниковые лазеры
Полупроводниковый лазер – это излучающий полупроводниковый при-
бор, предназначенный для непосредственного преобразования электрической
энергии или энергии некогерентного излучения в энергию когерентного излу-
чения.
В полупроводниковых лазерах или ОКГ (оптический квантовый генера-
тор) излучение, так же
, как и в светодиодах, порождается рекомбинацией элек-
тро нов и дырок. Однако, в отличие от светодиодов, эта рекомбинация вынуж-
денная. Из лучен ие пр и вынужденной рекомбинации получается когерентным.
Для преобладания вынужденно й рекомбинации над поглощением кван-
тов света необходимо, чтобы верхние энергетические уровни были более за-
полнены электронами, чем нижние (реализуется состояние инверсии населен
-
ности).
Инверсную населеннос ть можно создать:
1. С помощью инжекции носител ей заряда при пр ямом включении p-
n-перехода;

Страницы