Физические основы электроники. Базир Г.И. - 20 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

2. Пу тем элек тронного возбуждения (бомбардировка полупроводника

пучком быстрых электронов);

3. С помощью оптической накачки;

4. Пу тем использования эффектов сильного элек трического поля, то

есть лавинного умножения носителей заряда или туннелирования электронов.

На иболее интересным с практической точки зрения является первый ти п

создания инверсной населённости. Поэтому рассмотрим инжекционные лазеры.

Конструкция и технология изготовления инжекционных лазеров

Инверсную населеннос ть в инжекцио нных лазерах с p-n-переходом мож-

но получить, если одна из областей диодной структуры является вырожденной,

то есть содержит большую концентрацию примеси.

Пр и прямом включении p-n-перехода прямо й ток состоит из двух состав-

ляющих – эл ектро нной и дырочной. Чем больший ток проходит через p-n-

переход, тем

с большим запасом выполняется условие инверсной населеннос ти.

Минимальный ток, пр и котором начинает преобладать вынужденная ре-

комбинация, называется пороговым током.

Если ток, проходящий через p-n-переход, больше порогового, то p-n-

переход является усиливающей средой для света, распространяющегося в плос-

кости p-n-перехода. Число актов вынужденной рекомбинации можно увели-

чить, если обеспечить прохождение каждого кванта света несколько раз в плос-

кости p-n-перехода. Для этого две противоположные грани монокрис талла по-

лупроводника делают строго параллельными и

тща тельно полированными.

Подоб ные дейс твия обеспечивают (без металлизации) отражение от тор-

цов до 35% квантов света в силу большого коэффициента преломления полу-

проводникового материала. Пос ле многократного отражения от пол ированных

тор цов и соответствующего многократного прохождения вдоль p-n-перехода

свет выходит из полупроводника (см. рис. 4).