Физические основы электроники. Базир Г.И. - 22 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рисунок 4. Конструкция полупроводникового инжекционного лазера

1 – нижний электрод (молибденовая пластина);

2 – область n-тип а;

3 – активная облас ть с инверсной населённостью;

4 – область p-тип а;

5 – полированные тор цы поверхнос ти;

6 – верхний электрод.

Те кванты света, которые двигаются не вдоль p-n-перехода и не перпен-

дикулярно тор цам кристалла, уходят из активной зоны и не вызывают вынуж-

денной рекомбинации.

Для изготовления инжекционных лазеров используют GaАs, тв ерды е рас-

творы

PGaAs

−1

, InAs, InP и другие полупроводниковые материалы. На и-

большее распространение получил и инжекционные лазеры на основе GaАs.

В качестве исходной заготовки для таких лазеров служит мо нокристалл

GaAs в форме куба или параллелепипеда со сторонами в несколько десятых до-

лей миллиметра.

В GaAs n-область создается легированием Те, Se и другими, p-область

создается легированием Zn, Cd и другие. Концентрация доноров и

акцепторов в

соответс твующих облас тях должна быть такой, чтобы реализовывалось состоя-

ние, близкое к вырождению.

Для создания невыпрямл яющего контакта с n-областью монокрис талл с

диодной структурой припаивают к пластине молибдена, покрытой слоем золо-

та. На поверхность p-области наносят сплав золота с серебром.