Физические основы электроники. Базир Г.И. - 48 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

подвижность при наличии электрического поля в монокристаллах кремния или

германия. Пр и изготовлении, например, кремниевых приемников проникающей

радиации используют толс тые (более 10 мм) монокр ис таллическ ие пластинки высо-

коомного кремния с примесью бора. Диффузия лития с одной стороны пластинки

кремния проводится при относительно низкой температуре (300–600

С) в течение

нескольких минут. В дальнейшем к полученному p-n-переходу прикладывают об-

ратное напряжение при одновременном нагреве кристалла до температуры около

200 °С. Из -за большой подвижности ионы лития дрейфуют в электрическом поле,

компенсируя исходную пров одим ос ть или заряды ионов бора в p-n-переходе. В ре-

зультате получается распределение примесей по толщине кристалла. Таким ме-

тодом создают диоды с толщиной p-n-перехода до 10 мм.

Приемник и проникающей радиации на основе монокристаллов полупро-

водников с p-n-переходом, имеющим большую толщину, позволяют регистрировать

и спектрометрировать длиннопробежные частицы высокой энергии. Ос нов ным не-

достатком таких приемников, созданных с ис по льз ованием диффузии и дрейфа ли-

тия, является необходимость их глубокого охлаждения при хранении и тр анс -

портировке во избежание самопроизвольной диффузии и самопроизвольного

дрейфа лития, т. е. во избежание перераспределения примесей.

Атомные электроэлементы

С генерацией э. д. с. при облучении электронно-дырочного перехода части-

цами высокой энергии связан один из возможных путей создания атомного элек-

троэлемента, преобраз ующего энергию радиоактивных излучений в электриче-

скую энергию.

Перв ые атомные электроэлементы работали с радиоактивным стронцием,

представляющим собой «золу» атомных реакторов. Стронций при распаде ис-

пускает электроны больших энергий, которые про никают в толщу полупровод-

никовой плас тинк и с p-n-переходом, и производит там ионизацию атомов по-

лупроводника. Возникшие пары носителей разделяются диффузионным полем

перехода, что обеспечивает появление нескомпенсированных зарядов на элек-