Физические основы электроники. Базир Г.И. - 46 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

вание атомов галлия при этом происходит в три раза быстрее, чем атомов

мышьяка, то общая электропроводность определяется избытком галлия, т. е. бом-

бардировка германия нейтронами приводит к появлению дырочной электропро-

водности.

При облучении полупроводника быстрыми нейтронами наряду с радиоак-

тив ными превращениями в кристалле происходит образование дефектов, по-

добных тем, какие образуются под действием быстрых электронов, и пр иво-

дящих к появлению акцепторных уровней в кристалле.

Приемники проникающей радиации на основе поликристаллических полупроводников

Как принцип действия, так и метод изготовления прием ников прони-

кающей радиации на основе поликристаллических полупроводников аналоги-

чен методу изготовления поликристаллических фоторезисторов. Ос нов ой при-

емника проникающей радиации является поликристаллический слой селенистого

или сернистого кадмия, нанесенный на проводящую подложку пу тем, например,

возгонки в вакууме. Эта подложка служит одновременно одним из электродов

приемника проникающей радиации. Второй электрод наносят путем термичес ко-

го испарения в вакууме почти на всю поверхность поликристаллического полу-

проводникового слоя. Этот второй электрод в связи с малой его толщиной явля-

ется прозрачным для рентгеновского излучения и тем более для гамма-

излучения. Таким образом, в отличие от фоторезисторов в приемниках прони-

кающей радиации электроды расположены на противоположных поверхностях

поликристаллического полупроводникового слоя.

Отечественная промышленность выпускает приемники проникающей ра-

диации различных марок: РГД-0, РГД-1, РГД-2 и ГД-Г1 (рентгено-гамма-датчик

и гамма-датчик). Отличаются эти приемники проникающей радиации друг от

друга в основном внешним конструктивным оформлением. Чувс твительнос тью

к рентгено- и гамма-излучению помимо перечисленных приемников проникающей

радиации обладают сернисто-кадмиевые фоторезисторы ФСК-М и ФСК, а

также селенисто-кадмиевые ФСД. Однако удельная чувствительность фоторези-