Физические основы электроники. Базир Г.И. - 45 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

полупроводниковых приемников проникающей радиации и корпускулярно-

преобразовательных приборов (датчиков проникающей радиации без электронно-

дырочного перехода и с электронно-дырочным переходом, атомных электроэле-

ментов).

Однако при воздействии проникающей радиации или частиц высокой энер-

гии, кроме образования свободных носителей заряда, в полупроводнике могут

происходить и нежелательные процессы. Так, атомы кристаллической решетки

могут быть смещены из положения равновесия с образованием различных дефек-

тов кристаллической решетки. Например, облучение германия электронами вы-

сокой энергии аналогично введению в кристаллическую решетку германия ато-

мов акцепторной примеси — в запрещенной зоне полупроводника образуются

акцепторные примесные уровни.

Пос ле облучения германия n-типа электронами с энергией около 1 МэВ про-

водимость уменьшается. Это связано с уменьшением концентрации носителей за-

ряда в связи с компенсацией. Когда концентрация образованных облучением ак-

цепторных дефектов равняется концентрации основных носителей заряда (элек-

тронов), наблюдается минимум проводимости. Дальнейшее облучение обу-

словливает возрастание концентрации дырок и увеличение проводимос ти (рис.

10.15). Необходимо отмети ть, что возникновение дополнительных акцепторных

примесей в кристалле приводит к уменьшению подвижности носителей. Однако

относительное уменьшение проводимости из-за уменьшения подвижности значи-

тельно меньше увеличения проводимос ти из-за изменения концентрации дырок.

Пос ле облучения германия n-типа электронами высокой энергии его проводи-

мость возрастает.

При облучении полупроводника медленными нейтронами

в нем происходят радиоактивные изменения, в результа-

те которых в исходном кристалле появляются примеси

посторонних элементов.

В германии, например, при нейтронном облучении

появляются примеси галлия и мышьяка. Так как образо-