Физические основы электроники. Базир Г.И. - 43 стр.

UptoLike

Составители: 

43
ны и дырки). Неос нов ные носител и (дырки в базе и электроны в коллекторе для
транзис тора p-n-p-типа) диффундируют к коллекторному переходу, втягиваются
существующим там электрическим полем в коллекторный переход и проходят
через него, создавая тем самым фототок I
ф
.
Однако биполярный фототранз ис тор обычно применяют при включении его
по схеме с общим эмиттером. Поэтому рассмотрим принцип действия биполяр-
ного фототра нзис тора, включенного по схеме с общим эмиттером. Предположим
вначале, что базовый вывод не подключен к схеме, т. е. ток
базы равен нул ю (I
Б
= 0). В этом случае неосновные носи-
тели заряда, проходя через p-n-переход коллектора, создают
то т же фото ток I
ф
. Неравновесные ос новные носители
электроны в n-базе, возникшие из-за поглощения гам кван-
тов света, и электроны, пр ишедшие в базу из коллектора,
оказываются в своеобразной потенциальной яме. На-
копление в базе неравновесных ос новных носителей заряда
понижает высоту по тенциальных барьеров эмиттерного и коллекторного перехо-
дов. Из -за уменьшения высоты потенциального барьера эмиттерного перехода
увеличивается инжекция дырок из эмиттера в базу. Соответс тв енно, возрастает и
ток коллектора. Таким образом, накопленный в базе биполярного фототранз и-
стора дополнительный заряд неравновесных ос новных нос ител ей обеспечивает
усиление фото тока, т. е. при освещении результирующий ток коллектора
ФЭФ
IhI
21
.
При подключении вывода базы к внешней схеме ток базы может изменяться
при освещении фототранзис тора. Степень изменения этого тока зависит от со-
противлений в цепи базы. Изменение тока базы происходит в результате выхо-
да неравновесных электронов из нее во внешнюю базовую цепь.
В рез уль та те, накопленный в базе заряд основных носителей уменьшается,
что уменьшает усиление фототока.
Таким образом, биполярный фототра нз ис тор обладает наибольшей чув-
ствительностью к облучению светом базовой области при включении по схеме с