Физические основы электроники. Базир Г.И. - 42 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

3. Спектральная характерис тика фо тоэлеме нта.

Это зависимость

кз

I от длины волны падающего света. Аналог ичн ы ха-

рактеристикам фотодиодов. Макс имум спектральной характеристики крем ние-

вых фотоэлеме н тов соответствует максимуму спектрального распределения

энергии солнечного света.

КПД фотоэлемента.

Это отношение максимальной мощности, которую можно получить от

фотоэлеме н та, к полной мощности лучистого потока, падающего на рабочую

поверхность фотоэлеме нта :

max

К основным процессам, приводящим к уменьшению КПД фо тоэлеме нта,

относят: отражение части излучения от поверхнос ти полупроводника, фото-

электрически неактив ное поглощение квантов света, рекомбинация неосновных

носителей еще до их разделения полем перехода, потери мощнос ти при прохо-

ждении тока через объемное сопротивление базы фотоэлемента.

ФОТОТРАНЗИСТОРЫ И ФОТОТИРИСТОРЫ

1. Транзистор, реагирующий на облучение световым потоком и способный

одновременно усиливать фо то ток, называют фототранзистором.

Биполярные фототран зисторы

Биполярный фо то транз ис тор может быть включен в схему по-разному. Ес-

ли подать напряжение между базой и коллектором, сместив коллекторный переход

в обратном направлении и ос тавив эмиттерный вывод неподключенным к схеме, то

такое включение биполярного фототранз ис тора ничем не будет отличаться от схе-

мы включения фотодиода. Пр и поглощении квантов света в базовой и в кол-

лекторной областях образуются неравновесные пары носителей заряда (электро-