Физические основы электроники. Базир Г.И. - 40 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Полупроводниковые фотоэлементы

Полупроводниковый фотоэлемент – это полупроводниковый прибор с

выпрямляющим переходом, предназначенный для прямого преобразования све-

товой энергии в электрическую.

Рассмотрим принцип действия фо тоэлеме нта с р-n-переходом.

Пр и освещении фотоэлеме н та из-за поглощения квантов в р-n-переходе и

областях, прилегающих к р-n-переходу, происходит генерация новых носителей

заряда. Электрическое поле р-n-перехода разделяет неравновесные носители. В

результате накопления электронов в n-области и дырок в р-области между эти-

ми областями возникает дополнительная разность потенциалов – фотоЭДС.

Основные характеристики и параметры

ВАХ.

Режиму генерации фотоЭДС при различных освещенностях ил и световых

потоках соответс твуют части ВАХ, расположенные в 4-квадранте.

Для кремниевых фотоэлементов 55,05,0 ÷=

U В, а среднее значение то-

ка и короткого замыкания при средней освещенности

./2520

сммАj

÷=