ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
38
Рисунок 14
В обедненных слоях объемный заряд формируется в рез уль та те наруше-
ния компенсации заряда ионизированных примесей основными носителями, а в
обогащенных – из накопления основных носителей заряда. Обогащенный слой
обуславливает малое сопро тивление приконтактной области полупроводника
по сравнению с сопротивлением объема полупроводника. Такой контакт не об-
ладает выпрямляющим свойством. При наличии обедненного или
инверсного
слоя контакт металл-полупроводник обладает выпрямляющими свойствами.
Характерной особенностью контакта металл-полупроводник является
разная высота потенциального барьера для электронов и дырок. В резуль та те
так ие контакты могут быть неинжектирующими.
Фотодиоды на основе гетероперехода
E
F
а) обедненный слой
p-тип
б) инверсный слой
n-тип
в) обогащенный сло
й
Ме
Ме
n-тип
Ме
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
