Физические основы электроники. Базир Г.И. - 36 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Таким образом, спектральная характеристика фотодиода на основе кон-

так та металл-полупроводник значительно шире по сравнению с фотодиодом на

основе p-n-перехода.

Сопротивление базы фотодиода на основе контакта металл-

полупроводник намного меньше, следовательно, постоянная времени

ока-

зывается малой и инерционность определяется в основном только временем

пролета носителей через область объемного заряда на выпрямляющем контакте

металл-полупроводник.

Это время пролета порядка 0,1-0,01 нс, что позволяет использовать фото-

диоды на основе контакта металл-полупроводник при СВЧ-модуляции светово-

го потока.

Контакт металл-полупроводник

Пр и идеальном контакте металл-полупроводник происходят явления, свя-

занные с разницей работ выхода электронов в металле А

и в полупроводнике

Пр и образовании идеального контакта металл-полупроводник возникает

диффузия электронов из материала с меньшей работой выхода в материал с

большей работой выхода. Перераспределение зарядов вызывает возникновение

электрического поля и КРП.

АА

Пм

−

Это электрическое поле сосредоточено в основном в полупроводнике, т. к.

из-за большой концентрации носителей заряда в металле их перераспределение

происходит в очень то нком слое, сравнимом с межатомными расстояниями.

В зависимости от типа электропроводности полупроводника и от соотно-

шения работ выхода в полупроводнике может возникать обедненный, обога-

щенный или

инверсный слой.