ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
34
Таким образом, коротковолновая граница фо точув с твитель нос ти фото-
диода зависит от толщин ы базы и от скорости поверхностной рекомбинации.
Уменьшая эти величины, можно существенно сдвигать границу фоточувс тви-
тел ьнос ти фотодиодов в сторону меньших длин волн.
Положен ие максимума на спектральной характеристике фотодиода силь-
но зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупровод-
нике. При резком
увеличении коэффициента поглощения с уменьшением дли-
ны волны падающего света, положение максимума определяется шириной за-
прещенной зоны
g
EΔ
и практически не зависит от толщины базы.
Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, на-
пример, у кремния, то уменьшится эффект про никновения квантов света в
глубь полупроводника, и возрастание роли поверхнос тной рекомбинации будет
сказываться слабее с уменьшением длин волн. Поэ тому максимум спектраль-
ной характеристики может смещаться при изменении толщины
базы и скорости
поверхностной рекомбинации.
Например:
максимум спектральной характеристики кремниевых свето-
диодов можно смещать в диапазоне от 0,6 до 1 мкм пу тем изменения техноло-
гии их изготовления и конструкции.
Фотодиоды на основе контакта металл-полупроводник
Структура фотодиода на основе контакта металл-полупроводник и его
энергетическая диаграмма представлены на рис. 12:
1 2
а) 1 – тонкий металлический электрод;
2 – нижний электрод-подложка;
ν
h +
–
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »