Физические основы электроники. Базир Г.И. - 34 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Таким образом, коротковолновая граница фо точув с твитель нос ти фото-

диода зависит от толщин ы базы и от скорости поверхностной рекомбинации.

Уменьшая эти величины, можно существенно сдвигать границу фоточувс тви-

тел ьнос ти фотодиодов в сторону меньших длин волн.

Положен ие максимума на спектральной характеристике фотодиода силь-

но зависит от степени роста коэффициента поглощения в данном полупровод-

нике. При резком

увеличении коэффициента поглощения с уменьшением дли-

ны волны падающего света, положение максимума определяется шириной за-

прещенной зоны

EΔ

и практически не зависит от толщины базы.

Если зависимость коэффициента поглощения от длины волны слабая, на-

пример, у кремния, то уменьшится эффект про никновения квантов света в

глубь полупроводника, и возрастание роли поверхнос тной рекомбинации будет

сказываться слабее с уменьшением длин волн. Поэ тому максимум спектраль-

ной характеристики может смещаться при изменении толщины

базы и скорости

поверхностной рекомбинации.

Например:

максимум спектральной характеристики кремниевых свето-

диодов можно смещать в диапазоне от 0,6 до 1 мкм пу тем изменения техноло-

гии их изготовления и конструкции.

Фотодиоды на основе контакта металл-полупроводник

Структура фотодиода на основе контакта металл-полупроводник и его

энергетическая диаграмма представлены на рис. 12:

1 2

а) 1 – тонкий металлический электрод;

2 – нижний электрод-подложка;

h +

–