Физические основы электроники. Базир Г.И. - 32 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

32
Неос нов н ые носители, возникшие в этих облас тях на расстоянии, не превы-
шающем диффузной длины, диффу ндиру ют к p-n-переходу и проходят через
него под действ ием электрического поля («скатываются» с потенциального
барьера).
-
-
-
-
-
-
-
-
+
+
+
+
+
+
+
+
p
n
E
FP
E
F
n
-
ke
q
ϑ
+
Рисунок 10
Поэ тому обратный ток через фотодиод возрастает при освещении на ве-
личину, называемую фото током.
U
J
Ф=0
Ф
1
Ф
2
> Ф
1
J
J
Ф
1
Ф
2
В конструк ции фотодиода
должна быть
предусмотрена необходимость освещения кристалла полупроводника с одно-
временной защитой от других внешних воздействий.
Свойства фотодиодов можно характеризовать параметрами и зависимо-
стями, аналогичными для фоторезис торов. Однако у фотодиодов существуют
отличительные особенности.
Так, световая характерис тика фотодиода ()(ЕII
ФФ
= ) соответствует пр я-
мой пропорциональности. Связано это с тем, что толщ ина базы фотодиода мно-
го меньше
p
n
L
и
n
p
L
. Поэ тому прак тически все неосновные носители, воз-
Рисунок 11

Страницы