Физические основы электроники. Базир Г.И. - 31 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

падающего на фоторезистор светового потока. Фоторезисторы обычно имеют

сублинейную характеристику:

В узком диапазоне освещенностей для аппроксимации световой характе-

ристики часто ис пол ьз у ют зависимость:

AEI =

, где А и

х – коэффициенты, являющиеся постоянными для данного фоторезис тора в вы-

бранном диапазоне освещённостей;

Е – освещенность;

в) Спектральная характеристика

Зависимость фото тока от длины волны света –

)(

г) Постоянная времени

)(

– это время, в течение которого

изменя-

ется после освещения или затемнения в е-раз по отношению к установившему-

ся значению. Характеризует инерционность прибора.

д) Темновое сопротивление – это сопро тивление фоторезис тора при от-

с утс твии освещения.

е) Удельная интегральная чувс тв ител ьнос ть :

, где

Ф – световой поток;

U – приложенное напряжение.

Фотодиоды

Полупроводниковый фотодиод – это полупроводниковый диод, обратный

ток которого зависит от освещенности.

Обычно в качестве фотодиодов используют диоды с p-n-переходом, сме-

щенным в обратном напр авлении.

Пр и поглощении квантов света в p-n-переходе и прилегающих к нему об-

ластях кристалла полупроводника генерируются электро нно-дырочные пар ы.

Рисунок 9. ЛАХ фоторезистора