Физические основы электроники. Базир Г.И. - 29 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

4) Кратнос ть изменения яркости для ЭПЛИ достигает

10 .

5) ЭПЛИ про игрывает ЭПИ по экономичности и сроку службы.

6) Общим недостатком ЭПИ и ЭПЛИ является большой разброс парамет-

ров.

Фоторезистор

Принцип действия

Фоторезис тор – это полупроводниковый пр ибор, сопротивление которого

зависит от освещенности. Пр инцип дейс твия фоторез истора основан на фоторе-

зистивном эффекте (внутренний фотоэффект).

Для осуществления фо торезис тивного эффекта необходимо, чтобы в по-

лупроводнике происходило либо собственное поглощение с образованием но-

вых пар носителей, либо пр имесной, с образованием носителей одного знака. В

области собственного поглощения

βα

IPU =Δ=Δ

где

– вну тренний квантовый выход – число пар носителей заряда (число но-

сителей заряда пр и примесном поглощении), образуемых одним поглощенным

квантом света;

I – интенсивнос ть света – число квантов в секунду.

Нар яду с генерацией идёт рекомбинация и устанавливается динамическое

равновесие.

Технология изготовления и конструкция

Основная часть конс трукции – фо точув с тви тел ьны й слой полупроводни-

ка, выполненный в виде монокр исталлической или поликристаллической пла-

стинк и, или в виде пол икристаллической пленки полупроводника, нанесенной

на диэлектрическую подложку.

В качестве полупроводникового материала для фоторезис торов исполь-

зуют: CdS, CdSe, PbS и др.