Физические основы электроники. Базир Г.И. - 30 стр.

UptoLike

Составители: 

30
На поверхность фо точувс тв и тел ьного слоя наносят электроды. Поверх-
ность полупроводникового фоточувс тви тель ного слоя между электродами на-
зывают рабочей площадкой.
Фоточувс тв и тельн ый слой помещают в металлический или пластмассо-
вый корпус.
Основные характеристики и параметры
а) ВАХ фоторезистора
Предс тавляет зависимость светового тока
св
I
при неизменной величине
светового потока.
U
1
2
1 - в темноте;
2 - при освещении.
Рисунок 8. ВАХ фоторезистора
б) ЛАХ фоторезистора
Предс тавляет зависимость фототока
Tсвср
III =
от освещенности
E()
Лк)
5
1
150 0
500