ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
33
никшие в базе в рез уль та те световой генерации, доходят до p-n-перехода и уча-
ствуют в образовании фото тока.
Следствием этого является независимость интегральной чувствительно-
сти фотодиода от пр иложенного обратного напряжения.
1.
Интегральная чувс тв и тел ьнос ть.
Φ
=
Ф
I
K
0
.
2.
Малая инерционность фотодиодов.
На величине инерционности может сказаться 3 фактора:
а) время диффузии или дрейфа через базу
б
τ
;
б) время пролёта через p-n-переход
i
τ
;
в) время перезарядки барьерной ёмкости
τ
=
бар
RC
;
max
V
W
i
≈
τ
, где W – толщина p-n-перехода;
max
V
– максимальная скорость дрейфа.
Пр имер :
В Ge и Si.
смV /105
4
max
×≈
, W обычно меньше 5 мкм, следовательно,
нс
i
1,0≈
τ
.
τ
=
бар
RC
(наносекунд).
Обычно три фактора работают совместно:
общ
τ
=
i
τ
+
б
τ
+
τ
.
3.
Спектральная характерис тика фотодиода
Определяется со стороны больших длин волн (
λ
) шириной запрещенной
зоны (
g
EΔ
) исходного материала, при малых
λ
– большим показателем пре-
ломления и увеличением влияния поверхнос тной рекомбинации с уменьшением
λ
квантов света.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
