Физические основы электроники. Базир Г.И. - 35 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

б)

энергетическая диаграмма металл-

полупроводник

Рисунок 12

Чтобы основная часть квантов проникла через верхний металлический

электрод 1, его толщин а должна быть малой. Уменьшение потерь на отражение

можно достичь, используя просветляющие покрытия.

Принцип дейс твия фотодиода на основе контакта металл-полупроводник

аналогичен принципу действия фотодиода с p-n-переходом. Однако существу-

ют некоторые различия, которые сказываются

на характеристиках и парамет-

рах:

Воз м ож нос ть поглощения квантов с энергией, меньшей

EΔ

, для ко-

тор ых полупроводник прозрачен, в металле верхнего электрода 1.

Если

h квантов больше высоты потенциального барьера, то возбужден-

ные электроны из металла могут перейти в полупроводник через потенциаль-

ный барьер, обеспечивая тем самым возникновение фо то ток а. Поэ тому длинно-

волновая граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта

металл-полупроводник определяется высотой потенциального барьера на этом

контакте и смещена в более длинноволновую область.

С уменьшением длины волны квантов и с увеличением показателя по-

глощения в полупроводнике кванты света продолжают поглощаться в слое объ-

емного заряда, где существует электрическое поле. Поэ тому коротковолновая

граница спектральной характеристики фотодиодов на основе контакта металл-

полупроводник расположена пр и более коротких волнах электромагнитного

спектра.