Физические основы электроники. Базир Г.И. - 39 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Пр и освещении фотодиода со стороны широкозонного полупроводника

квантами света с энергией

).(

21 gg

EhE Δ>>Δ

Свет поглощается в узкозонном полупроводнике.

Широкозонный полупроводник оказывается прозрачным для таких кван-

тов. Возникшие неосновные носител и заряда, проходя через гетеропереход,

создают фо то ток. С уменьшением длины волны света растет показатель погло-

щения узкозонного полупроводника, глубина проник новения света уменьшает-

ся. Генерация неравновесных носителей происходит тол ько вблизи гетеропере-

хода. Пр и

h >

EΔ кванты света поглощаются в широкозонном полупроводни-

ке. Таким образом, спектральная характеристика фотодиодов на основе гетеро-

перехода получается более широкой, по сравнению с характеристикой фото-

диодов на основе обычных р-n-переходов.