Физические основы электроники. Базир Г.И. - 54 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

54
водника. И в том, и в другом случае зависимость сопротивления полупровод-
ника определяется в основном изменением концентрации носителей заряда, так
как температурные изменения по дв иж нос ти при этом пренебрежимо малы.
В этих диапаз онах температур зависимость сопротивления полупроводник а от
температуры с оо тв е тс тву е т уравнению:
T
B
RR exp
∞
= ,
где В – коэффициент температурной чувс твительнос ти;
∞
R
– постоянная, зависящая от материала и размеров термистора.
При неполной ионизации примесей и отс утс твии компенсации
)2/( kЭB
П
Δ≈ ,
где
П
ЭΔ - энергия ионизации примесей (доноров или акцепторов).
Для скомпенсированного полупроводника при неполной ионизации приме-
сей:
kЭB
П
/Δ≈ .
При собственной электропроводности
kЭB /Δ≈
,
где
Э
Δ – ширина запрещенной зоны.
2. Ос нов ная часть термисторов, выпускаемых промышленностью, изготовле-
на из поликристаллических окисных полупроводников – из окислов так называе-
мых металлов переходной группы таблицы Менделеева (от ти та на до цинка).
Термисторы в форме стержней, трубок, дисков или пластинок получают методами
керамической технологии, то есть пу тем обжига заготовок при высокой темпера-
туре.
Электропроводность окисных полупроводников с преобладающей ионной
связью между атомами отличается от электропроводности ковалентных полу-
проводников. Для металлов переходной группы характерны наличие незапол-
ненных электронных оболочек и переменная валентность. В результа те при обра-
зовании окисла в определенных ус ловиях (наличие примесей, отклонение от сте-
хиометрии) в одинаковых кристаллографических положениях оказываются ионы

Страницы