Физические основы электроники. Базир Г.И. - 55 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

с разными зарядами. Электропроводность таких материалов связана с обменом

электронами между соседними нонами. Энергия, необходимая для такого обме-

на, мала. Поэтому все электроны (или дырки), которые могут переходить от одного

иона к другому, можно считать свободными носителями заряда, а их концен-

трацию – постоянной в рабочем диапазоне температур термистора. Из -за сильного

взаимодействия носителей заряда с ионами подвижность носителей заряда в окис-

ном полупроводнике оказывается малой и экспоненциально возрастающей с рос-

том температуры. В рез ульта те температурная зависимость сопротивления тер-

мистора окисного полупроводника оказывается такой же, как и у термисторов из

ковалентных полупроводников, но коэффициент температурной чувствительно-

сти характеризует в этом случае изменение подвижности носителей заряда, а не

изменение их концентрации.

3. В окислах ванадия V

и V

при температуре фазовых превращений

(68 и –110 °С) наблюдается уменьшение удельного сопротивления на несколько

порядков. Это явление также может быть использовано для создания термисто-

ров с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления в

диапазоне температур, соответствующих фазовому превращению.

Характеристики и параметры термисторов прямого подогрева

Температурная характеристика термистора – это зависимость его сопро-

тивления от температуры. Зависимость носит экспоненциальный характер. Пример

температурной характеристики одного из термисторов приведен на рисунке 19.

Рисунок 19

Номинальное сопротивление термистора – это его сопротивление при опре-

деленной температуре (обычно 20 ° С). Термисторы изг ото в ляю т с допустимым от-

клонением от номинального сопротивления ± 20, 10 и 5 %. Номин аль ные сопро-