Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 102 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

102
Таблица 4
Параметры современных фотодиодов
№
п/
п
Прием-
ник
Матери-
ал
λ
,
мк
м
Диа-
метр,
мкм
η
,
%
M
U
Д
, В
С
д
,
пФ
I
тем
н
нА
Примеча-
ние
1
р+ n
ЛФД
Ge 1,3 30
9
0
10
0
30
0,5 6
Uпр =38 В,
f
np
=l ГГц,
Uр=80В
2
pin ФД
Al-
GaAsSb
1,3 130
7
0
1 20
1 10
3
рin ФД CdHgTe
1,3 80
7
5
1 10
1 5
4
pin ФД
InGaAs/
InP
1,3 80
7
0
1 10
0,3 2 f
np
=3 ГГц
5
pin ФД
InGaAs/
InP
1,3 40
5
2
1 7
0,14
5
—
f
np
=22
ГГц
6
pin ФД
InGaAs/
InP
1,3 10
3
6
1
4...
15
— 1,3
f
пр
=36 ГГц,
7
рin ФД
InGaAs/
InP
1,3 10
9
0
1 > 3
0,07
1,55
8
0
8
ЛФД Ge 1,55
80
8
5
10
0
>
20
0,5 -
0,6
800
Uр=70 В,
300 МГц
9
pin ФД
InGaAs/
InP
1,55
100
4
5
-
5
0
1
10
...
20
0,3 10
Как следует из таблицы, современные фотодиоды работают в
спектральных диапазонах 1,3 и 1,55 мкм с применением в качестве
материала, как германия, так и различных полупроводниковых со-
единений. Диаметр фоточувствительной площадки в зависимости от
верхней рабочей частоты составляет от 10 до 130 мкм. Квантовая
эффективность в
pin
–диодном режиме изменяется от 36% для пло-
щадки диаметром 10 мкм до 90% для площадки порядка 100 мкм.
Для лавинных фотодиодов коэффициент умножения фототока со-
                               102

                                                           Таблица 4
         Параметры современных фотодиодов
№                λ, Диа-                I
  Прием- Матери-           η,   U Д Сд, тем Примеча-
п/                     мк    метр,       M
     ник       ал                    %       , В пФ   н
                                                               ние
п                      м     мкм                      нА
                                                        Uпр =38 В,
     р+ n                            9 10
 1            Ge      1,3     30          30 0,5      6 f np =l ГГц,
     ЛФД                             0 0
                                                          Uр=80В
              Al-                    7
 2 pin ФД             1,3    130         1 20     1   10
            GaAsSb                   0
                                     7
 3 рin ФД   CdHgTe    1,3     80         1 10     1   5
                                     5
            InGaAs/                  7
 4 pin ФД             1,3     80         1 10 0,3     2     fnp=3 ГГц
              InP                    0
            InGaAs/                  5           0,14        fnp=22
 5 pin ФД             1,3     40         1   7        —
              InP                    2            5           ГГц
            InGaAs/                  3       4...
 6 pin ФД             1,3     10         1        — 1,3 fпр=36 ГГц,
              InP                    6       15
                                     9
                      1,3     10         1 > 3 0,07
            InGaAs/                  0
 7 рin ФД
              InP                    8
                      1,55
                                     0
                                     8   10 > 0,5 -     Uр=70 В,
 8   ЛФД      Ge      1,55    80                    800
                                     5   0 20 0,6       300 МГц
                                     4
                                     5     10
            InGaAs/
 9 pin ФД           1,55     100     -   1 ... 0,3 10
              InP
                                     5     20
                                     0
     Как следует из таблицы, современные фотодиоды работают в
спектральных диапазонах 1,3 и 1,55 мкм с применением в качестве
материала, как германия, так и различных полупроводниковых со-
единений. Диаметр фоточувствительной площадки в зависимости от
верхней рабочей частоты составляет от 10 до 130 мкм. Квантовая
эффективность в pin–диодном режиме изменяется от 36% для пло-
щадки диаметром 10 мкм до 90% для площадки порядка 100 мкм.
Для лавинных фотодиодов коэффициент умножения фототока со-

Страницы