Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 103 стр.

UptoLike

Составители: 

103
ставляет порядка 100 при напряжении смещения около 30 В. Типич-
ное напряжение смещения в
pin
фотодиодах составляет 3-10 В. Ти-
пичные значения емкости диода составляют 0,1…1 пФ, а темнового
тока 1-10 нА. Верхняя граничная частота бескорпусных фотодио-
дов достигает 100 ГГц, а фотодиодных модулей 20-30 ГГц.
Основные параметры и характеристики современных фото-
диодных модулей отечественного производства, а также произ-
водимых в Беларуси представлены в табл. 3 Приложения
1
.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В настоящем пособии рассмотрены принципы построения и
функционирования, характеристики и особенности применения в
современных цифровых и аналоговых телекоммуникационных
системах основных компонентов ВОСП: излучателей, волокон-
ные световодов и кабелей, фотодетекторов. Типичные значения
параметров вышеуказанных компонентов, характеризующие со-
временный уровень их разработки, представлены в табл. 5.
Таблица 5
Достигнутые параметры
Компо-
нент
Параметр
Воло-
конный
свето-
вод
Материал: SiO
2
(кристаллический кварц)
Окна прозрачности: I – 820…860 нм, II – 1260…1360 нм,
III – 1430…1580 нм
Потери при передаче, дБ/км: 2,4-3 (0,85 мкм), 0,3-0,4 (1,3
мкм), 0,2-0,3 (1,55 мкм)
Коэффициент широкополосности, ГГц·км:
- многомодовый: 0,2-0,5 (ступенчатый профиль), 0,8-1,2
(градиентный профиль)
- одномодовый: 3 (0,85 мкм), 1000 (1,3 мкм), 15 (1,55 мкм)
Поляризационные потери 0,1 дБ/км (1,55 мкм)
Поляризационная модовая дисперсия 0,5 пс/км
1/2
(1,55 мкм)
Оптические обратные потери 40 дБ
1
Составлена на основе данных соответствующих фирм-производителей, опубликован-
ных на их сайтах в сети ИНТЕРНЕТ
                                     103

ставляет порядка 100 при напряжении смещения около 30 В. Типич-
ное напряжение смещения в pin фотодиодах составляет 3-10 В. Ти-
пичные значения емкости диода составляют 0,1…1 пФ, а темнового
тока – 1-10 нА. Верхняя граничная частота бескорпусных фотодио-
дов достигает 100 ГГц, а фотодиодных модулей – 20-30 ГГц.
     Основные параметры и характеристики современных фото-
диодных модулей отечественного производства, а также произ-
водимых в Беларуси представлены в табл. 3 Приложения1.

                      ЗАКЛЮЧЕНИЕ
     В настоящем пособии рассмотрены принципы построения и
функционирования, характеристики и особенности применения в
современных цифровых и аналоговых телекоммуникационных
системах основных компонентов ВОСП: излучателей, волокон-
ные световодов и кабелей, фотодетекторов. Типичные значения
параметров вышеуказанных компонентов, характеризующие со-
временный уровень их разработки, представлены в табл. 5.
                                                    Таблица 5
                  Достигнутые параметры
    Компо-
                                        Параметр
     нент
     Воло-    • Материал: SiO2 (кристаллический кварц)
    конный    • Окна прозрачности: I – 820…860 нм, II – 1260…1360 нм,
     свето-   III – 1430…1580 нм
      вод     • Потери при передаче, дБ/км: 2,4-3 (0,85 мкм), 0,3-0,4 (1,3
              мкм), 0,2-0,3 (1,55 мкм)
              • Коэффициент широкополосности, ГГц·км:
              - многомодовый: 0,2-0,5 (ступенчатый профиль), 0,8-1,2
              (градиентный профиль)
              - одномодовый: 3 (0,85 мкм), 1000 (1,3 мкм), 15 (1,55 мкм)
              • Поляризационные потери 0,1 дБ/км (1,55 мкм)
              • Поляризационная модовая дисперсия 0,5 пс/км1/2 (1,55 мкм)
              • Оптические обратные потери ≥40 дБ

1
 Составлена на основе данных соответствующих фирм-производителей, опубликован-
ных на их сайтах в сети ИНТЕРНЕТ