Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 110 стр.

                              110

                     Контрольное задание № 2
     Тема: Расчет основных характеристик полупроводниковых
                    лазерных излучателей
     1. Определить граничную частоту ν (ТГц) и длину волны
излучения λ (мкм) полупроводника из следующих материалов:
     • фосфид индия InP (ширина запрещенной зоны ∆Eg=1,35 эВ)
     • антимонид галлия GaSb (ширина запрещенной зоны
∆Eg=0,73 эВ)
     • арсенид индия InAs (ширина запрещенной зоны ∆Eg=0,36 эВ)
     2. Определить соотношение населенностей уровней n2/n1
полупроводника в равновесном состоянии при следующих дли-
нах волн λ и абсолютных температурах T:
     • λ=1,0 мкм, Т=300 К
     • λ=0,85 мкм, Т=77 К
     • λ=3,2 мкм, Т=77 К
     3. Определить длину резонатора L лазера, чтобы на волне
λ=1,5 мкм обеспечить расходимость пучка θ:
     • 0,5˚
     • 5˚
     • 40˚
     4. Определить длину открытого резонатора l, для которой мо-
жет быть выполнено условие самовозбуждения лазера при коэффи-
циенте усиления среды α и коэффициенте потерь на зеркалах R:
     • α =300 м-1, R=0,8
     • α =800 м-1, R=0,33
     • α =3500 м-1, R=0,2

                     Контрольное задание № 3
     Тема: Расчет основных характеристик полупроводниковых
                  фотоприемников и ПРОМ
    1. Определить длинноволновую («красную») границу фото-
эффекта полупроводника на основе следующих материалов:
    • кремний (ширина запрещенной зоны ∆Eg=1,8·10-22 Дж)