Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 111 стр.

UptoLike

Составители: 

111
германий (ширина запрещенной зоны Eg=1,17·10-22 Дж)
GaInAs (ширина запрещенной зоны Eg=1,24·10-22 Дж)
Определить среднюю мощность засветки фотодиода при:
S=0,9 А/Вт, Iф=5 мА
S=0,6 А/Вт, Iф=10 мА
S=0,8 А/Вт, Iф=1 мА
2. Определить требуемое значение сопротивления обратной
связи предварительного усилителя трансимпедансного типа для
обеспечения полосы пропускания ПРОМ
1 ГГц:
Коэффициент усиления 20 дБ, входная емкость 10 пФ, ем-
кость фотодиода 2 пФ
Коэффициент усиления 30 дБ, входная емкость 3 пФ, ем-
кость фотодиода 1,5 пФ
Коэффициент усиления 40 дБ, входная емкость 5 пФ, ем-
кость фотодиода 2 пФ
3. Определить требуемое значение входной емкости пред-
варительного усилителя низкоимпедансного типа для обеспече-
ния полосы пропускания ПРОМ 2,5 ГГц:
Сопротивление нагрузки фотодиода 100 Ом, входное со-
противление усилителя 50 Ом, емкость фотодиода 0,5 пФ.
Сопротивление нагрузки фотодиода 75 Ом, входное со-
противление усилителя 50 Ом, емкость фотодиода 0,2 пФ.
Сопротивление нагрузки фотодиода 50 Ом, входное со-
противление усилителя 75 Ом, емкость фотодиода 0,3 пФ.
                             111

     • германий (ширина запрещенной зоны ∆Eg=1,17·10-22 Дж)
     • GaInAs (ширина запрещенной зоны ∆Eg=1,24·10-22 Дж)
     • Определить среднюю мощность засветки фотодиода при:
     • S=0,9 А/Вт, Iф=5 мА
     • S=0,6 А/Вт, Iф=10 мА
     • S=0,8 А/Вт, Iф=1 мА
     2. Определить требуемое значение сопротивления обратной
связи предварительного усилителя трансимпедансного типа для
обеспечения полосы пропускания ПРОМ
        1 ГГц:
     • Коэффициент усиления 20 дБ, входная емкость 10 пФ, ем-
кость фотодиода 2 пФ
     • Коэффициент усиления 30 дБ, входная емкость 3 пФ, ем-
кость фотодиода 1,5 пФ
     • Коэффициент усиления 40 дБ, входная емкость 5 пФ, ем-
кость фотодиода 2 пФ
     3. Определить требуемое значение входной емкости пред-
варительного усилителя низкоимпедансного типа для обеспече-
ния полосы пропускания ПРОМ 2,5 ГГц:
     • Сопротивление нагрузки фотодиода 100 Ом, входное со-
противление усилителя 50 Ом, емкость фотодиода 0,5 пФ.
     • Сопротивление нагрузки фотодиода 75 Ом, входное со-
противление усилителя 50 Ом, емкость фотодиода 0,2 пФ.
     • Сопротивление нагрузки фотодиода 50 Ом, входное со-
противление усилителя 75 Ом, емкость фотодиода 0,3 пФ.