Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 43 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

43
10 мкм – для одномодового световода);
– угловое распределение излучения должно согласовы-
ваться с апертурой волокна.
Кроме того, должны удовлетворяться требования, общие
для аппаратуры связи:
• простота модуляции оптической несущей;
• высокая надежность;
• сравнительно низкая стоимость;
• высокие массогабаритные характеристики;
• стабильность параметров излучения.
Лучше других удовлетворяют этим требованиям полупро-
водниковые источники, излучающие свет из р–n перехода в про-
цессе так называемой инжекционной люминесценции [9].
Принцип работы полупроводникового лазера может быть
кратко объяснен следующим образом. Согласно квантовой тео-
рии в полупроводнике имеют место так называемые вырожден-
ные уровни, и носители могут занимать две сравнительно широ-
кие энергетические полосы [13], что показано на рис. 21.
Рис. 21. Схема энергетических уровней
полупроводникового лазера
Нижняя представляет собой валентную зону, а верхняя – 
                             43

10 мкм – для одномодового световода);
     –     угловое распределение излучения должно согласовы-
ваться с апертурой волокна.
     Кроме того, должны удовлетворяться требования, общие
для аппаратуры связи:
     •     простота модуляции оптической несущей;
     •     высокая надежность;
     •     сравнительно низкая стоимость;
     •     высокие массогабаритные характеристики;
     •     стабильность параметров излучения.
     Лучше других удовлетворяют этим требованиям полупро-
водниковые источники, излучающие свет из р–n перехода в про-
цессе так называемой инжекционной люминесценции [9].
     Принцип работы полупроводникового лазера может быть
кратко объяснен следующим образом. Согласно квантовой тео-
рии в полупроводнике имеют место так называемые вырожден-
ные уровни, и носители могут занимать две сравнительно широ-
кие энергетические полосы [13], что показано на рис. 21.




            Рис. 21. Схема энергетических уровней
                  полупроводникового лазера

    Нижняя представляет собой валентную зону, а верхняя –

Страницы