Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 45 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

45
Таблица 2
Характеристика СИД ПЛИ
Выходная мощ-
ность
Прямо пропорцио-
нальна току накачки
Пропорциональна току
только выше порога
Ток накачки
(смещения)
Рабочее значение 50-
100 мА
Пороговое значение 5-
40 мА
Эффективность
ввода в световод
Средняя: мощность в
волокне 0,05...0,5 мВт
Высокая: мощность в
волокне 0,5...25 мВт
Быстродействие Низкое Высокое
Диаграмма излу-
чения
Широкая Узкая
Полоса модуля-
ции
Средняя (до 100...300
МГц)
Широкая (до 20 ГГц)
Спектральный
диапазон
0,66...1,65 мкм 0,78...1,65 мкм
Спектр излуче-
ния
Широкий: 40-190 нм*
Узкий: 0,00001-10 нм*
Используемое
волокно
Только многомодо-
вое
Любой тип
Использование в
составе передаю-
щего устройства
Простое Сложное, т.к. требуют-
ся дополнительные
схемы
Долговечность Более высокая Высокая
Стоимость Низкая: $5…$300 Высокая:
$100…$10000
*
По полуширине (т.е. полной ширине по уровню 0,5 от максимума,
FWHM)
Вышеприведенные параметры ограничивают применение
СИД в ВОСП системами с низкой пропускной способностью.
Здесь же мы будем рассматривать только лазерные излучатели.
2.2 Основные структуры
Упрощенная поперечная структура полупроводникового ла-
зерного излучателя на основе GaAs и его спектральные характе-
                              45

                                                       Таблица 2
 Характеристика             СИД                    ПЛИ
Выходная мощ- Прямо           пропорцио- Пропорциональна току
ность             нальна току накачки только выше порога
Ток       накачки Рабочее значение 50- Пороговое значение 5-
(смещения)        100 мА                 40 мА
Эффективность     Средняя: мощность в Высокая: мощность в
ввода в световод волокне 0,05...0,5 мВт волокне 0,5...25 мВт
Быстродействие Низкое                    Высокое
Диаграмма излу- Широкая                  Узкая
чения
Полоса модуля- Средняя (до 100...300 Широкая (до 20 ГГц)
ции               МГц)
Спектральный      0,66...1,65 мкм        0,78...1,65 мкм
диапазон
Спектр излуче- Широкий: 40-190 нм* Узкий: 0,00001-10 нм*
ния
Используемое      Только многомодо- Любой тип
волокно           вое
Использование в Простое                  Сложное, т.к. требуют-
составе передаю-                         ся дополнительные
щего устройства                          схемы
Долговечность     Более высокая          Высокая
Стоимость         Низкая: $5…$300        Высокая:
                                         $100…$10000
* По полуширине (т.е. полной ширине по уровню 0,5 от максимума,
FWHM)

     Вышеприведенные параметры ограничивают применение
СИД в ВОСП системами с низкой пропускной способностью.
Здесь же мы будем рассматривать только лазерные излучатели.

                  2.2 Основные структуры

     Упрощенная поперечная структура полупроводникового ла-
зерного излучателя на основе GaAs и его спектральные характе-

Страницы