Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 46 стр.

                               46

ристики показаны на рис. 22. Он представляет собой полупро-
водниковый чип с типичными размерами: длина 100-300 мкм,
ширина 80-100 мкм, высота 50-80 мкм. В диодной структуре
между p-областью (сверху) и n-областью (снизу) расположен так
называемый активный слой.
      В качестве материала активного слоя используется, например,
арсенид галлия с примесями n-типа, концентрация которых состав-
ляет 1017–1018 1/см3. Чтобы обеспечить электрический контакт, в р-
и n-области впаиваются металлические электроды. Роль зеркал иг-
рают торцы чипа, которые для уменьшения потерь полируются.
Для создания инверсной населенности в активном слое к верхнему
и нижнему контактам просто подводится напряжение постоянного
тока, смещающее диод в прямом направлении. Первоначально, по-
ка величина тока еще невелика, прибор работает в светодиодном
режиме со сравнительно широкой спектральной полосой излучения
(см. рисунок). При превышении током некоторого порогового зна-
чения диод переходит в лазерный режим, о чем свидетельствует
резкое сужение его спектральной характеристики. Отметим весьма
важное достоинство полупроводникового лазерного диода: для мо-
дуляции его излучения по закону информационного сигнала доста-
точно просто промодулировать его ток прямого смещения.




Рис. 22. Упрощенная поперечная структура полупроводникового
лазерного излучателя на основе GaAs и его спектральные харак-
                          теристики