Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

48
лучается не трехслойным, а пятислойным. И это не предел. Для
понимания сложности структуры современного полупроводнико-
вого лазера для ВОСП на рис. 24 показан пример поперечной
структуры высокоскоростного лазера с использованием так назы-
ваемой многоквантоворазмерной активной области, полученной
методом газофазной эпитаксии [21].
0.2 µm P- In
0,53
Ga
0,47
As Layer
0.2 µm P-InP Layer
2.0 µm P-InP Layer
0.025 µm P-InGaAsP Layer
0.2 µm P-InP Layer
0.05 µm P-In
0,52
Al
0,48
As Layer
0.05 µm Волновод
6-10 nm 5~6QW/6~7 Barrier
0.1 µm Волновод
0.1 µm N- In
0,52
Al
0,48
As N-эмиттер
0.5 µm N-InP Буфер
100-200 µm N-InP Подложка
Рис. 24. Поперечная структура современного полупроводниково-
го лазера для ВОСП [21]
С целью оптимального использования в ВОСП различного
назначения в настоящее время разработаны самые разнообразные
конструкции полупроводниковых лазеров. Три из них [21] приве-
дены на рис. 25. Структура, показанная на рис. 25,а, отличается
повышенной мощностью излучения. Для этого кристалл перевер-
нули так, чтобы на металлическом основании находился слой p-
типа, что улучшает условия отвода тепла при работе прибора. 
                              48

лучается не трехслойным, а пятислойным. И это не предел. Для
понимания сложности структуры современного полупроводнико-
вого лазера для ВОСП на рис. 24 показан пример поперечной
структуры высокоскоростного лазера с использованием так назы-
ваемой многоквантоворазмерной активной области, полученной
методом газофазной эпитаксии [21].

         0.2 µm              P- In0,53 Ga0,47 As Layer

         0.2 µm                    P-InP Layer

         2.0 µm                    P-InP Layer

        0.025 µm                P-InGaAsP Layer

         0.2 µm                    P-InP Layer

        0.05 µm               P-In0,52 Al 0,48As Layer

        0.05 µm                     Волновод

        6-10 nm                5~6QW/6~7 Barrier

         0.1 µm                     Волновод

         0.1 µm            N- In0,52 Al0,48 As N-эмиттер

         0.5 µm                    N-InP Буфер

      100-200 µm                N-InP Подложка
Рис. 24. Поперечная структура современного полупроводниково-
                   го лазера для ВОСП [21]

     С целью оптимального использования в ВОСП различного
назначения в настоящее время разработаны самые разнообразные
конструкции полупроводниковых лазеров. Три из них [21] приве-
дены на рис. 25. Структура, показанная на рис. 25,а, отличается
повышенной мощностью излучения. Для этого кристалл перевер-
нули так, чтобы на металлическом основании находился слой p-
типа, что улучшает условия отвода тепла при работе прибора.

Страницы