Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 47 стр.

                              47

     В показанной на рис. 22 лазерной структуре p-n переход со-
стоит из одного вида полупроводникового материала, и такой ди-
од называется гомолазером. Он может принципиально работать
только при температуре жидкого азота, поэтому лазеры данного
типа не нашли применение в ВОСП, и рис. 22 приведен только,
чтобы упростить объяснение принципов работы полупроводни-
кового лазера. Практическое применение нашли работающие при
комнатной температуре гетеролазеры – инжекционные лазеры на
основе гетеропереходов. В этих лазерах для образования p-n пе-
рехода используют два вида полупроводников с различной ши-
риной запрещенной зоны. В окне 0,85 мкм – это обычно арсенид
галлия и арсенид галлия с примесью алюминия, в окнах 1,3 и
1,55 мкм – это фосфид индия с примесью галлия и мышьяка.
     Для повышения эффективности работы в современных ла-
зерных структурах применяют двойной гетеропереход. Пример
лазерного излучателя с двойным гетеропереходом [13] показан на
рис. 23. В структуре активная p-область на основе GaAs находит-
ся между р- и n-слоями GaAlAs. Эпитаксиальные слои формиру-
ются на подложке из GaAs с электронной проводимостью. Свер-
ху для обеспечения качественного электрического контакта по-
мещается высоколегированный слой GaAs с дырочной проводи-
мостью.
                                                    SiO2


             +
                 SiO2
           p - GaAs
           p - GaAlAs
           p - GaAs
            n - GaAlAs
                             n - GaAs
                                          Металл
       Рис. 23. Структуры лазера с двойным гетеропереходом

    Таким образом, если сравнить рис. 22 и 23, «пирог» уже по-