Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 55 стр.

                                 55

     Как следует из рисунка, частотно-модуляционная характе-
ристика практически равномерна до частоты 1 ГГц. Выше
наблюдается пик на так называемой частоте электрон-фотонного
резонанса, достигающий в разных лазерных структурах от 1 до 5-
6 дБ. Частота этого пика сдвигается в сторону повышения при
увеличении рабочего тока накачки (или же мощности излучения).
Выше пика происходит резкий спад со скоростью более 40 дБ на
декаду. Типичные значения верхней частоты модуляции в реаль-
ных лазерных диодах достигают 1-5 ГГц в зависимости от попе-
речной структуры лазера и превышения рабочего тока над поро-
говым.




 Рис. 28. Частотно-модуляционные характеристики лазерного излу-
чателя: мощность излучения: 1 мВт (1), 2мВт (2), 3 мВт (3), 5 мВт (4)

     Спектральная характеристика
     Из принципа работы полупроводникового инжекционного ла-
зера следует, что при отсутствии пространственной и частотной се-
лекции его выходной спектр будет содержать множество линий. В
применяемых в настоящее время для ВОСП лазерных структурах
излучение усиливается в отдельном волноводном слое (см. рис. 24),