Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 94 стр.

                               94

окне прозрачности фотодиода на основе InGaAs/InP приведены
на рис. 55.




Рис. 55. Зависимость предельной частоты фотодиода от толщины
                       обедненного слоя

      Из рисунка видно, что при диаметре площадки 5 мкм может
быть достигнута предельная частота 130 ГГц. Однако при этом воз-
никает проблема повышения коэффициента ввода излучения (см.
(48)), что уменьшает эффективную чувствительность фотодиода.
Влияние рассогласования при вводе излучения из одномодового во-
локна при различных диаметрах площадки можно оценить из рис.
56. Эффективной мерой повышения коэффициента ввода в этом
случае является применение согласующей микролинзы (СМЛ), что
также иллюстрируется на рис. 56, где показана возможность увели-
чения допуска на рассогласование в 2,5 раза. Без линзы, как видно
из рис. 57, предельная частота типичного pin фотодиода диапазона
1,3 мкм при квантовой эффективности 80% будет не более 20 ГГц.
      Типичные частотные характеристики pin фотодиода для ВОСП
с диаметром входного окна 300 мкм при различных напряжениях