Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 93 стр.

                              93

которой чувствительность уменьшается на 3 дБ по сравнению с
ее значением на немодулированном излучении (статической чув-
ствительностью), называется предельной частотой фотодиода. Ее
величина, как правило, ограничивается тремя факторами [10, 15]:
временами дрейфа фотоносителей в обедненной области и диф-
фузии носителей, генерированных вне обедненной области (см.
рис. 48), емкостью обратно смещенного p-n перехода (СП на эк-
вивалентной схеме рис. 51). Первые два фактора, как было сказа-
но выше, можно уменьшить путем оптимального подбора мате-
риала, конструкции и способа засветки. Емкость перехода так же
как, например, в варикапе, уменьшается при увеличении напря-
жения обратного смещения, и ее типичная зависимость представ-
лена на рис. 54.




     Рис. 54. Вольт-фарадная характеристика pin фотодиода

     Как следует из рисунка, емкость остается практически по-
стоянной при напряжениях более 5 В. В широко применяемых
мезаструктурных фотодиодах (см. рис. 52) емкость перехода мо-
жет быть уменьшена при уменьшении диаметра мезы с одновре-
менным уменьшением диаметра фоточувствительной площадки
(входного окна). Результаты расчета зависимости предельной ча-
стоты от толщины обедненного слоя при двух значениях диамет-
ра фоточувствительной площадки для работающего во втором