ВУЗ:
Составители:
91
Рис. 52. Мезаструктуры высокочастотных
p-i-n
фотодиодов с ге-
теропереходом и прямой засветкой (а), с гомопереходом и обрат-
ной засветкой (б).
3.3 Ключевые параметры pin фотодиодов
Согласно ГОСТ фотоэлектрический полупроводниковый
приемник характеризуется комплексом взаимосвязанных пара-
метров, измеряемых при воздействии немодулированного и мо-
дулированного излучения. Кратко рассмотрим основные из них с
учетом их важности для ВОСП.
Чувствительность
В ВОСП наибольшее значение имеют два вида чувствитель-
ности: токовая и спектральная. Номинальная токовая чувстви-
тельность
R
0
представляет собой отношение среднего значения
фототока
I
ф
к среднему значению оптической мощности Р
пад
.
0
ф пад
R I
Р
=
(50)
При этом из сравнения с (47) получается:
91 Рис. 52. Мезаструктуры высокочастотных p-i-n фотодиодов с ге- теропереходом и прямой засветкой (а), с гомопереходом и обрат- ной засветкой (б). 3.3 Ключевые параметры pin фотодиодов Согласно ГОСТ фотоэлектрический полупроводниковый приемник характеризуется комплексом взаимосвязанных пара- метров, измеряемых при воздействии немодулированного и мо- дулированного излучения. Кратко рассмотрим основные из них с учетом их важности для ВОСП. Чувствительность В ВОСП наибольшее значение имеют два вида чувствитель- ности: токовая и спектральная. Номинальная токовая чувстви- тельность R0 представляет собой отношение среднего значения фототока Iф к среднему значению оптической мощности Рпад. R0 = I ф Рпад (50) При этом из сравнения с (47) получается:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 89
- 90
- 91
- 92
- 93
- …
- следующая ›
- последняя »