Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 89 стр.

                                        89

     Параметры структуры диода выбираются таким образом,
чтобы в заданном спектральном диапазоне получить максималь-
но высокое значение квантовой эффективности. Однако при этом
должно обеспечиваться требуемое быстродействие. На быстро-
действие фотодиода основное влияние оказывают описанные
выше процессы в базе, i-слое и коллекторе, а также способ за-
светки и параметры электрической эквивалентной схемы фото-
диода. Остановимся подробнее на двух последних факторах.
     На рис. 50 [15] показаны возможные способы освещения
фотодиода: прямая (а), обратная (б) и непосредственная боковая
(в) засветка1. Боковая засветка, несмотря на потенциально
наибольшую эффективность, практически не используется из-за
трудности ввода излучения в i-область, толщина которой у со-
временных фотодиодов составляет всего лишь несколько микрон.
Из остальных двух более оптимальной для создания быстродей-
ствующих приборов считается обратная засветка со стороны n-
области, когда свет попадает в i-слой через коллектор из широ-
козонного материала, что уменьшает его поглощение до области
пространственного заряда. Однако на практике вследствие кон-
структивной простоты фотодиода наиболее часто применяется
засветка через базу.




               Рис. 50. Способы засветки фотодиода:
        а: прямая; б: обратная; в: непосредственная боковая

1
 В последнее время исследуется еще один конструктивный вариант фотодиода с боко-
вой засветкой через подложку, главное достоинство которого состоит в высокой чув-
ствительности. Однако в связи с отсутствием промышленных образцов он здесь не рас-
сматривается.