ВУЗ:
Составители:
88
области появляется зависимость напряженности поля от координаты
х (штриховые линии на рис. 49, г). Здесь через
U
д1
и
U
д2
обозначены
напряжения обратного смещения. Таким образом, при малых
напряжениях смещения (
U
д1
) область пространственного заряда бу-
дет занимать лишь часть
i
-слоя, что уменьшает эффективность по-
глощения фотонов. Напротив, при относительно больших напряже-
ниях смещения (
U
д2
) происходит обеднение всего
i
-слоя.
Рис. 49. Основные структуры и пространственное распределение
электрического поля в
p-i-n
фотодиодах
88 области появляется зависимость напряженности поля от координаты х (штриховые линии на рис. 49, г). Здесь через Uд1 и Uд2 обозначены напряжения обратного смещения. Таким образом, при малых напряжениях смещения (Uд1) область пространственного заряда бу- дет занимать лишь часть i-слоя, что уменьшает эффективность по- глощения фотонов. Напротив, при относительно больших напряже- ниях смещения (Uд2) происходит обеднение всего i-слоя. Рис. 49. Основные структуры и пространственное распределение электрического поля в p-i-n фотодиодах
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 86
- 87
- 88
- 89
- 90
- …
- следующая ›
- последняя »