Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 86 стр.

                             86

фотодиоды (ЛФД). Если на обычный фотодиод p-n типа подать
высокое напряжение обратного смещения, то электроны и
дырки, дрейфуя через участок обедненной области с сильным
полем, могут создать за счет ударной ионизации дополнитель-
ные пары носителей заряда. Т.е. вблизи пика электрического
поля в запирающем слое возникает явление умножения носи-
телей. Поскольку вновь появившиеся носители, в свою оче-
редь, способствуют ударной ионизации других носителей,
процесс приобретает лавинный характер, что выражается в
существенном увеличении фототока и, следовательно, повы-
шении квантовой эффективности фотодиода.




 Рис. 48. Основные структуры и схема включения фотодиодов:
                   а: p-n типа; б: p-i-n типа.

     Однако ЛФД гораздо сложнее технологически (а, следо-
вательно, дороже), чем фотодиоды p-i-n структуры. Кроме то-
го, рост коэффициента усиления фототока в лавинных фотоди-
одах сопровождается уменьшением их быстродействия и уве-
личением шума. Отмечу, что ЛФД практически не применяют-
ся в современных АВОСП и достаточно ограниченно в цифро-
вых ВОСП, в частности, в ВОСП с большим интервалом ре-
трансляции и скоростью передачи максимум до 1-3 Гбит/с. В
связи с этим ограничусь, как и при рассмотрении светодиодов,
кратким феноменологическим сравнением основных парамет-
ров современных ЛФД и p-i-n фотодиодов, которое представ-
лено в виде табл. 3.