Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 87 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

87
Таблица 3
Характеристика ЛФД Р-i-n фотодиод
Материал Si, Ge, InGaAs Si, Ge, InGaAs,
InGaAsP
Полоса (в промышлен-
ности)
До 10 ГГц До 50 ГГц
Рабочая длина волны От 0,6 до 1,8 мкм От 0,6 до 1,8
мкм
Эффективность преоб-
разования
0,5...100 А/Вт 0,5...1 А/Вт
Использование в со-
ставе приемного
устройства
Сложное, т.к. требу-
ются схемы подачи
высокого напряже-
ния и термостабили-
зации
Простое
Стоимость Высокая:
$100...$2000
Низкая:
$1...$500
Рассмотрим более подробно широко применяемые в совре-
менных цифровых и аналоговых ВОСП
p-i-n
фотодиоды. Основные
структуры
p-i-n
фотодиодов показаны на рис. 49 [15]. На рисунке
обозначения
p+
и
n+
соответствуют применению повышенной по
сравнению с
p
- и
n
-областями концентрации легирующих примесей.
Буквой ν или π отмечен слаболегированный
i
-слой, где имеется до-
статочный фон донорской (ν) или акцепторной (π) примеси. К диоду
прикладывается напряжение обратного смещения, световое излуче-
ние вводится через окно в контакте базы (Б). Напряженность элек-
трического поля базы и коллектора (К), обладающих высокой элек-
тропроводностью, близка к нулю. Электрическое поле сосредоточе-
но в области пространственного заряда, что показано на рис. 49, г.
Большая часть области пространственного заряда находится в полу-
проводнике с малой концентрацией примесей. Если в
i
-слое отсут-
ствует примесный фон, распределение напряженности поля в струк-
туре приобретает равномерный характер, что показано сплошной
линией на рис. 49, г, и границы области пространственного заряда
совпадают с границами
i
-области. Из-за существования примеси в
i
-
                               87

                                                        Таблица 3
   Характеристика                 ЛФД            Р-i-n фотодиод
Материал                     Si, Ge, InGaAs      Si, Ge, InGaAs,
                                                     InGaAsP
Полоса (в промышлен-           До 10 ГГц            До 50 ГГц
ности)
Рабочая длина волны        От 0,6 до 1,8 мкм      От 0,6 до 1,8
                                                      мкм
Эффективность преоб-    0,5...100 А/Вт            0,5...1 А/Вт
разования
Использование в со- Сложное, т.к. требу-            Простое
ставе      приемного ются схемы подачи
устройства            высокого напряже-
                     ния и термостабили-
                             зации
Стоимость                  Высокая:                 Низкая:
                         $100...$2000               $1...$500

     Рассмотрим более подробно широко применяемые в совре-
менных цифровых и аналоговых ВОСП p-i-n фотодиоды. Основные
структуры p-i-n фотодиодов показаны на рис. 49 [15]. На рисунке
обозначения p+ и n+ соответствуют применению повышенной по
сравнению с p- и n-областями концентрации легирующих примесей.
Буквой ν или π отмечен слаболегированный i-слой, где имеется до-
статочный фон донорской (ν) или акцепторной (π) примеси. К диоду
прикладывается напряжение обратного смещения, световое излуче-
ние вводится через окно в контакте базы (Б). Напряженность элек-
трического поля базы и коллектора (К), обладающих высокой элек-
тропроводностью, близка к нулю. Электрическое поле сосредоточе-
но в области пространственного заряда, что показано на рис. 49, г.
Большая часть области пространственного заряда находится в полу-
проводнике с малой концентрацией примесей. Если в i-слое отсут-
ствует примесный фон, распределение напряженности поля в струк-
туре приобретает равномерный характер, что показано сплошной
линией на рис. 49, г, и границы области пространственного заряда
совпадают с границами i-области. Из-за существования примеси в i-

Страницы