ВУЗ:
Составители:
85
3.2 Типы и основные структуры фотодиодов
Схема включения фотодиода
p-n
типа приведена на рис. 48,
а. Диод имеет обедненную область, образованную неподвижны-
ми положительно заряженными атомами донора в
n
-области пе-
рехода и неподвижными отрицательно заряженными атомами ак-
цептора в
p
-области, а также область поглощения падающего све-
та. Здесь ширина обедненной области зависит от концентрации
легирующих примесей. Чем меньше примесей, тем шире обед-
ненный слой. Положение и ширина области поглощения зависят
от длины волны падающего света и от материала фотодиода. Чем
сильнее поглощается оптическое излучение, тем эта область
тоньше. Если электронно-дырочные пары образуются при по-
глощении оптических фотонов в обедненной области, то элек-
троны и дырки, попадая в сильное электрическое поле, будут
быстро дрейфовать каждый в свою сторону: электроны в
n
-слой,
а дырки – в
p
-слой. При этом во внешней цепи возникает фото-
ток. Если же электронно-дырочная пара образуется вне обеднен-
ной области далеко от
p-n
перехода, то дырка сначала должна
диффундировать до границ обедненной области. Так как процесс
диффузии происходит значительно медленнее по сравнению с
дрейфом, то желательно, чтобы максимально большая часть света
поглощалась в обедненной области. Увеличение этой области до-
стигается уменьшением концентрации примеси в
n
-слое.
Слабо легированный
n
-слой может считаться слоем с соб-
ственной проводимостью и обозначается как
i
-слой. Добавив к
i
-слою сильно легированную
n
-область, можно получить так
называемый фотодиод
p-i-n
типа, структура которого показана
на рис. 48, б. Фотодиоды данной структуры характеризуются
простотой, высокими эффективностью и быстродействием при
преобразовании оптического излучения, поэтому они нашли
самое широкое применение в ВОСП.
Таким образом, фотодиод, как элемент электрической
схемы, является источником тока. Поскольку фототок в
нагрузке имеет очень небольшую величину, его желательно
увеличить, для чего используются так называемые лавинные
85 3.2 Типы и основные структуры фотодиодов Схема включения фотодиода p-n типа приведена на рис. 48, а. Диод имеет обедненную область, образованную неподвижны- ми положительно заряженными атомами донора в n-области пе- рехода и неподвижными отрицательно заряженными атомами ак- цептора в p-области, а также область поглощения падающего све- та. Здесь ширина обедненной области зависит от концентрации легирующих примесей. Чем меньше примесей, тем шире обед- ненный слой. Положение и ширина области поглощения зависят от длины волны падающего света и от материала фотодиода. Чем сильнее поглощается оптическое излучение, тем эта область тоньше. Если электронно-дырочные пары образуются при по- глощении оптических фотонов в обедненной области, то элек- троны и дырки, попадая в сильное электрическое поле, будут быстро дрейфовать каждый в свою сторону: электроны в n-слой, а дырки – в p-слой. При этом во внешней цепи возникает фото- ток. Если же электронно-дырочная пара образуется вне обеднен- ной области далеко от p-n перехода, то дырка сначала должна диффундировать до границ обедненной области. Так как процесс диффузии происходит значительно медленнее по сравнению с дрейфом, то желательно, чтобы максимально большая часть света поглощалась в обедненной области. Увеличение этой области до- стигается уменьшением концентрации примеси в n-слое. Слабо легированный n-слой может считаться слоем с соб- ственной проводимостью и обозначается как i-слой. Добавив к i-слою сильно легированную n-область, можно получить так называемый фотодиод p-i-n типа, структура которого показана на рис. 48, б. Фотодиоды данной структуры характеризуются простотой, высокими эффективностью и быстродействием при преобразовании оптического излучения, поэтому они нашли самое широкое применение в ВОСП. Таким образом, фотодиод, как элемент электрической схемы, является источником тока. Поскольку фототок в нагрузке имеет очень небольшую величину, его желательно увеличить, для чего используются так называемые лавинные
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 83
- 84
- 85
- 86
- 87
- …
- следующая ›
- последняя »