ВУЗ:
Составители:
84
диффундируют в обедненную область
p-n
перехода. При этом
высота потенциального барьера между базой и коллектором
уменьшается, что показано на рисунке пунктирными линиями, и
возникает фотоЭДС. Такой режим работы без внешнего источни-
ка энергии и называется фотовольтаическим.
Рис. 47. Упрощенная структура фотодиода с p-n переходом и со-
ответствующая ей зонная диаграмма
Основной недостаток данного режима состоит в сравнительно
низком быстродействии прибора вследствие большого времени
диффузии носителей. Поэтому в фотоприемниках ВОСП использу-
ется режим работы с прикладыванием внешнего постоянного
напряжения, называемый фотодиодным. В фотодиодном режиме
полярность питающего напряжения соответствует обратному сме-
щению p-n перехода. Образовавшиеся под действием оптического
излучения фотоносители попадают в сильное электрическое поле и
дрейфуют в область
p-n
перехода со значительно меньшим време-
нем, что повышает быстродействие фотоприемника.
84 диффундируют в обедненную область p-n перехода. При этом высота потенциального барьера между базой и коллектором уменьшается, что показано на рисунке пунктирными линиями, и возникает фотоЭДС. Такой режим работы без внешнего источни- ка энергии и называется фотовольтаическим. Рис. 47. Упрощенная структура фотодиода с p-n переходом и со- ответствующая ей зонная диаграмма Основной недостаток данного режима состоит в сравнительно низком быстродействии прибора вследствие большого времени диффузии носителей. Поэтому в фотоприемниках ВОСП использу- ется режим работы с прикладыванием внешнего постоянного напряжения, называемый фотодиодным. В фотодиодном режиме полярность питающего напряжения соответствует обратному сме- щению p-n перехода. Образовавшиеся под действием оптического излучения фотоносители попадают в сильное электрическое поле и дрейфуют в область p-n перехода со значительно меньшим време- нем, что повышает быстродействие фотоприемника.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 82
- 83
- 84
- 85
- 86
- …
- следующая ›
- последняя »