Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 117 стр.

UptoLike

Составители: 

рактеризует процесс колебания механической энергии в системе
электродыпьезоэлементакустический связующий слойсветозвукопровод;
R сопротивление, моделирующее поглощение активной мощности ПП. При
отсутс твии диссипативных потерь в ПП это сопротивление характеризует ак-
тивные потери, связанные с излучением акустической волны в светозвукопро-
вод. Резонансная частота LCRконтура соответствует резонансной частоте ПП
при
постоянстве напряженности электрического поля в пьезоэлектрике. Связь
между параметрами эквивалентной схемы выражается зависимостями:
0
С
С
К = , (5.30)
где Ккоэффициент электрической связи, без учёта диссипативных по-
терь в элементах ПП определяется по формуле
()
2
2
1
ЭМ
ЭМ
К
К
К
= , (5.31)
Добротность последовательного LCRконтура
()
(
)
(
)
Z
Zn
СR
Q
2
1
0
π
ω
, (5.32)
где Zn и Zволновые акустические сопротивления соответс твенно ПП и
СЗП.
L определяется из формулы
LC
f
π
2
1
0
= , (5.33)
Рис.5.8. Эквивалентная схема ПП АО устройства.