Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

30
уже говорилось, величина информационного заряда
изменяется вследствие притока в потенциальную яму паразитного заряда ды-
рок, обусловленного процессами термогенерации и диффузии из объема. В ста-
ционарном состоянии при t
→∞
за счет этих процессов потенциальная яма за-
полняется до насыщения независимо от величин начального информационного
заряда. Поэ тому ПСЗ являются динамическими устройствами, для которых ра-
бочий интервал тактовых частот ограничен как сверху, так и снизу.
В режиме хранения необходимо выполнение двух основных условий [1]:
«глубина» потенциальной ямы под затвором ПЗС должна
быть достаточной
для хранения информационного заряда плотностью Q
р
; паразитный заряд
плотностью Q
рпар.
, который накапливается в ПЗС за время хранения, должен
быть значительно меньше информационного заряда Q
р
(допустимое отношение
Q
рпар.
/Q
р
определяется условиями применения ПЗС).
Величина поверхностного потенциала
ϕ
, характеризующая «глубину» по-
тенциальной ямы, зависит [1] от напряжения на затворе U
з
, плотности (на еди-
ницу поверхности) заряда дырок Q
р
и от электрофизических характеристик ди-
электрической пленки и подложки:
ϕ
=U
’
3
-
p
Д
Q
C
+
Д
p
OC
OC
OC
C
Q
U
B
B
B
−+−
'
3
22
42
(3.1)
где U
3
’
= U
3
- U
пз
= U
3
’
+
ϕ
0
+U
B
-U
0
;
U
пз
- напряжение плоских зон;
ϕ
0
- потенциал инверсии поверхности полупроводника;
ϕ
0
≈
2
ϕ
F
;
ϕ
F
= In(N
i
/n
i
) - потенциал Ферми;
U
B
=
OC
B
0
ϕ
;
B
OC
=
0
2
П
д
Д
qN
C
εε
- коэффициент, учитывающий влияние обедненного слоя
подложки;
Сд=ε
Д
ε
О
/Х
Д
– удельная емкость диэлектрика затвора толщиной Хд;

Страницы