Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

31
ε
П
, ε
Д
– диэлектрическая проницаемость соответс твенно
подложки и диэлектрика;
Ni – концентрация примеси в подложке, далее N
Д
для n-типа подложки;
n
i
– концентрация носителей в собственном полупроводнике;
q – заряд электрона;
U
0
– минимальное напряжение на затворе МДП структуры, при котором
наступает инверсия
U
0
=
BДповмдп
UCQ +++
0
/
ϕϕ
;
мдп
ϕ
- контактная разность потенциалов в МДП-структуре (табл.А1);
Qпов. – удельный заряд поверхностных состояний.
Максимальный заряд Qрм, который может быть помещен в потенциаль-
ную яму при заданном напряжении Uз, определяется из (3.1) при условии на-
сыщения потенциальной ямы, то есть при
0
ϕϕ
=
:
Q
рм
= C
Д
(U
3
– U
0
) (3.2)
Обычно Qрм=(1…5)10
-3
пК/мкм
2
.
Допустимое время хранения заряда определяется процессами, приводя-
щими к накоплению паразитного заряда Qрпар. Это процессы определяют мак-
симальное время хранения t
хр.макс.
(десятки миллисекунд)и минимальную часто-
ту работы f
мин
цифровых и аналоговых устройств на ПЗС, а также тем новые то-
ки в фотоприемных ПЗС.
f
мин
=
..
1
максхр
mt
где m – количество тактов (фаз) в системе управления.
Для современных трех тактных схем на ПЗС типичные значения
f
мин
= 0.1…1 к Гц.

Страницы